[发明专利]壳体及其制备方法、电子装置

说明书

本发明提供一种壳体及其制备方法、电子装置。所述壳体的制备方法包括以下步骤：提供基底，所述基底的材质为LDS塑料；于基底上涂覆高分子基材料层；采用激光于高分子基材料层上蚀刻出通槽，露出部分基底，所述通槽的形状与电子装置的天线结构的形状相匹配；及于该露出的部分基底上镀覆一金属层，该金属层填充于所述通槽中形成电子装置的天线结构，制得壳体。本发明的壳体的制备方法具有良率高和工艺简单的优点。

技术领域

本发明涉及电子装置技术领域，尤其涉及一种壳体，该壳体的制备方法，及应用该壳体的电子装置。

背景技术

随着电子装置的体积越来越小，越来越多的天线结构需布置到电子装置壳体的外表面。需要对该天线结构进行保护，以使电子装置壳体具有较佳的外观。现有的于电子装置壳体的外表面形成天线结构的工艺主要有两种。第一种工艺为：采用激光直接成型(LaserDirect Structuring，LDS)技术于壳体粗坯上镀覆天线结构后，进行二色成型。在该二色成型的过程中，天线结构易被冲断，导致良率较低。第二种工艺为：采用LDS技术于壳体粗坯上镀覆天线结构后，对壳体粗坯进行三涂三烤处理(即，喷涂三次烤漆，烘烤三次烤漆)，再对该天线结构进行打磨，将天线结构打磨至与烤漆平齐后，进行另一三涂三烤处理。第二种工艺的工艺较复杂，且对于复杂的天线结构，难以将其打磨至与烤漆平齐，影响外观。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种壳体的制备方法，旨在提供良率高、工艺简单的壳体的制备方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的壳体的制备方法，其包括以下步骤：

提供基底，所述基底的材质为LDS塑料；

于基底上涂覆高分子基材料层；

采用激光于高分子基材料层上蚀刻出通槽，露出部分基底，所述通槽的形状与电子装置的天线结构的形状相匹配；及

于该露出的部分基底上镀覆一金属层，该金属层填充于所述通槽中形成电子装置的天线结构，制得壳体。

进一步地，所述高分子基材料层的材质包括树脂、填料与添加剂；所述树脂包括环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、氨基树脂、脲醛树脂、聚酯树脂、醇酸树脂、有机硅树脂、乙烯基酯树脂、及上述树脂的改性树脂中的至少一种；和/或

所述高分子基材料层的厚度范围为5μm～100μm；和/或

所述金属层的厚度范围为3μm～40μm；和/或

所述金属层填充于通槽中后，所述金属层的上表面与高分子基材料层的上表面之间的垂直距离不大于15μm；和/或

所述金属层的材质为铜、镍、金、钯、及银中的至少一种。

进一步地，所述LDS塑料含有热塑性树脂和分散于热塑性树脂中的LDS添加剂。

进一步地，所述壳体的制备方法还包括于金属层和高分子基材料层上涂覆至少一层底漆层的步骤；或

所述壳体的制备方法还包括于金属层和高分子基材料层上依次涂覆至少一层底漆层、和至少一层中间层的步骤；或

所述壳体的制备方法还包括于金属层和高分子基材料层上涂覆至少一层底漆层、至少一层中间层、及至少一层面漆层的步骤。

本发明还提供一种壳体，应用于电子装置。所述壳体包括基底、形成于该基底上的高分子基材料层、及金属层，所述基底的材质为LDS塑料，所述高分子基材料层开设有一通槽，露出部分基底，所述金属层镀覆于该部分基底上并填充于该通槽中，形成电子装置的天线结构。

进一步地，所述高分子基材料层的材质包括树脂、填料与添加剂；所述树脂包括环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、氨基树脂、脲醛树脂、聚酯树脂、醇酸树脂、有机硅树脂、乙烯基酯树脂、及上述树脂的改性树脂中的至少一种；和/或