[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构，具有在第一方向上相邻设置的过渡沟道孔区和虚拟沟道孔区；

过渡沟道结构阵列，形成于所述半导体结构中且位于所述过渡沟道孔区，并包括在所述第一方向与垂直于所述第一方向的第二方向上呈多行多列排布的多个过渡沟道结构；

虚拟沟道结构阵列，形成于所述半导体结构中且位于所述虚拟沟道孔区，并包括在所述第一方向与所述第二方向上呈多行多列排布的多个虚拟沟道结构；

其中，所述过渡沟道结构阵列包括与所述虚拟沟道结构阵列相邻设置的边缘过渡沟道结构列，所述边缘过渡沟道结构列包括在所述第二方向上间隔排布的多个边缘过渡沟道结构；所述虚拟沟道结构阵列包括与所述边缘过渡沟道结构列相邻设置的边缘虚拟沟道结构列，所述边缘虚拟沟道结构列包括在所述第二方向上间隔排布的多个边缘虚拟沟道结构；

任意一个所述边缘虚拟沟道结构与相邻的所述边缘过渡沟道结构之间的最短距离连线方向偏离所述第一方向；

任意一个所述边缘过渡沟道结构位于相邻的两个所述边缘虚拟沟道结构的对称轴上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述过渡沟道结构阵列还包括位于所述边缘过渡沟道结构列远离所述虚拟沟道结构阵列一侧且在所述第一方向上间隔排布的多个非边缘过渡沟道结构列；每个所述非边缘过渡沟道结构列包括在所述第二方向上间隔排布的多个非边缘过渡沟道结构；

与所述边缘过渡沟道结构列相邻设置的所述非边缘过渡沟道结构列包括与所述多个边缘虚拟沟道结构在所述第一方向上一一对应设置的多个第一非边缘过渡沟道结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，与所述边缘过渡沟道结构列相邻设置的所述非边缘过渡沟道结构列还包括与所述多个边缘过渡沟道结构在所述第一方向上一一对应设置的多个第二非边缘过渡沟道结构。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，任意相邻的两个所述非边缘过渡沟道结构列中的所述多个非边缘过渡沟道结构在所述第一方向上一一对应设置。

5.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，任意相邻的两个所述非边缘过渡沟道结构列中的所述多个非边缘过渡沟道结构在所述第二方向上依次交错设置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替叠置的介质层及栅极层；

所述多个过渡沟道结构和所述多个虚拟沟道结构在垂直于所述衬底的方向上贯穿所述堆叠结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述过渡沟道孔区且在垂直于所述衬底的方向上贯穿所述堆叠结构的多个过渡沟道孔，以及位于所述虚拟沟道孔区且在垂直于所述衬底的方向上贯穿所述堆叠结构的多个虚拟沟道孔；

所述多个过渡沟道结构分别填充在所述多个过渡沟道孔中；所述多个虚拟沟道结构分别填充在所述多个虚拟沟道孔中；

所述多个虚拟沟道孔的特征尺寸大于所述多个过渡沟道孔的特征尺寸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，每个所述虚拟沟道孔在垂直于所述衬底的方向上的投影为圆形，且每个所述过渡沟道孔在垂直于所述衬底的方向上的投影为圆形。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述虚拟沟道结构阵列还包括位于所述边缘虚拟沟道结构列远离所述边缘过渡沟道结构列一侧且在所述第一方向上间隔排布的多个非边缘虚拟沟道结构列；每个所述非边缘虚拟沟道结构列包括在所述第二方向上间隔排布的多个非边缘虚拟沟道结构；

任意相邻的两个所述非边缘虚拟沟道结构列中的所述多个非边缘虚拟沟道结构在所述第一方向上一一对应设置；且所述非边缘虚拟沟道结构列中的所述多个非边缘虚拟沟道结构与所述边缘虚拟沟道结构列中的所述多个边缘虚拟沟道结构在所述第一方向上一一对应设置。