[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括半导体结构、设置在半导体结构中且在第一方向上相邻设置的过渡沟道结构阵列和虚拟沟道结构阵列；过渡沟道结构阵列包括与虚拟沟道结构阵列相邻的边缘过渡沟道结构列，边缘过渡沟道结构列包括沿第二方向间隔排布的多个边缘过渡沟道结构，第二方向与第一方向垂直设置；虚拟沟道结构阵列包括与边缘过渡沟道结构列相邻的边缘虚拟沟道结构列，边缘虚拟沟道结构列包括沿第二方向间隔排布的多个边缘虚拟沟道结构；任意一个边缘虚拟沟道结构与相邻的边缘过渡沟道结构之间的最短距离连线方向偏离所述第一方向。本申请可以避免边缘虚拟沟道孔的尖角问题，从而避免三维存储器件漏电。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

在三维存储器的制备过程中，除了设计器件沟道孔，往往还会设计过渡沟道孔和虚拟沟道孔，以实现相关功能，例如在后续氮化硅去除的过程中提供结构支撑等。虚拟沟道孔通常设计的是圆形的，但是，在制作虚拟沟道孔的过程中，容易出现尖角问题，在后续填充虚拟沟道孔时，尖角的地方可能会填充不充分而产生较大的空隙，从而导致后续填充钨形成栅极层时，上下两层栅极层相连，从而导致三维存储器件漏电，影响三维存储器件的正常使用。

因此，如何提供一种新的半导体器件，以解决现有技术中的上述问题实属必要。

发明内容

本申请提供一种半导体器件及其制作方法，在制作过渡沟道结构阵列和虚拟沟道结构阵列的过程中，增大了边缘虚拟沟道孔与边缘过渡沟道孔之间的间距，有利于削弱边缘虚拟沟道孔与边缘过渡沟道结构之间的应力作用或电子吸引力作用，从而有利于形成不带尖角的圆形边缘虚拟沟道孔。

本申请提供一种半导体器件，包括：

半导体结构，具有在第一方向上相邻设置的过渡沟道孔区和虚拟沟道孔区；

过渡沟道结构阵列，形成于所述半导体结构中且位于所述过渡沟道孔区，并包括在所述第一方向与垂直于所述第一方向的第二方向上呈多行多列排布的多个过渡沟道结构；

虚拟沟道结构阵列，形成于所述半导体结构中且位于所述虚拟沟道孔区，并包括在所述第一方向与所述第二方向上呈多行多列排布的多个虚拟沟道结构；

其中，所述过渡沟道结构阵列包括与所述虚拟沟道结构阵列相邻设置的边缘过渡沟道结构列，所述边缘过渡沟道结构列包括在所述第二方向上间隔排布的多个边缘过渡沟道结构；所述虚拟沟道结构阵列包括与所述边缘过渡沟道结构列相邻设置的边缘虚拟沟道结构列，所述边缘虚拟沟道结构列包括在所述第二方向上间隔排布的多个边缘虚拟沟道结构；

任意一个所述边缘虚拟沟道结构与相邻的所述边缘过渡沟道结构之间的最短距离连线方向偏离所述第一方向。

可选的，任意一个所述边缘过渡沟道结构位于相邻的两个所述边缘虚拟沟道结构的对称轴上。

可选的，所述过渡沟道结构阵列还包括位于所述边缘过渡沟道结构列远离所述虚拟沟道结构阵列一侧且在所述第一方向上间隔排布的多个非边缘过渡沟道结构列；每个所述非边缘过渡沟道结构列包括在所述第二方向上间隔排布的多个非边缘过渡沟道结构；

与所述边缘过渡沟道结构列相邻设置的所述非边缘过渡沟道结构列包括与所述多个边缘虚拟沟道结构在所述第一方向上一一对应设置的多个第一非边缘过渡沟道结构。

可选的，与所述边缘过渡沟道结构列相邻设置的所述非边缘过渡沟道结构列还包括与所述多个边缘过渡沟道结构在所述第一方向上一一对应设置的多个第二非边缘过渡沟道结构。

可选的，任意相邻的两个所述非边缘过渡沟道结构列中的所述多个非边缘过渡沟道结构在所述第一方向上一一对应设置。

可选的，任意相邻的两个所述非边缘过渡沟道结构列中的所述多个非边缘过渡沟道结构在所述第二方向上依次交错设置。