[发明专利]泄漏源检测有效

专利信息
申请号: 202011268119.9 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112802533B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: A·马宗达;R·科蒂;P·D·怀特;P·R·K·埃尔拉;R·卡马纳 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44;G11C29/12;G06K9/62
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 泄漏 检测
【权利要求书】:

1.一种用于检测的方法,包括:

用电子束扫描存储器管芯的具有第一长度的第一组字线和所述存储器管芯的具有与所述第一长度不同的第二长度的第二组字线;

至少部分地基于扫描所述第一组字线来确定与所述第一组字线相关联的第一错误率;

至少部分地基于扫描所述第二组字线来确定与所述第二组字线相关联的第二错误率;以及

至少部分地基于与所述第一组字线相关联的所述第一错误率和与所述第二组字线相关联的所述第二错误率来对所述存储器管芯的性能进行分类。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

至少部分地基于所述第一组字线的所述第一错误率和所述第二组字线的所述第二错误率来确定与第一类型的错误相关联的第三错误率;以及

至少部分地基于所述第一组字线的所述第一错误率和所述第二组字线的所述第二错误率来确定与与所述第一类型的错误不同的第二类型的错误相关联的第四错误率,其中对所述性能进行分类至少部分地基于确定所述第三错误率和所述第四错误率。

3.根据权利要求2所述的方法,其中:

所述第一类型的错误包括由于所述存储器管芯的字线之间短路而发生的一或多个错误;并且

所述第二类型的错误包括由于所述字线与所述存储器管芯的通孔之间短路而发生的一或多个附加错误。

4.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述第三错误率或确定所述第四错误率包括:

确定所述第一错误率与所述第二错误率之间的差值。

5.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:

识别所述第一组字线的所述第一长度与所述第二组字线的所述第二长度的比率,其中确定所述第三错误率或确定所述第四错误率至少部分地基于所述第一长度与所述第二长度的所述比率。

6.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:

确定所述第三错误率或所述第四错误率是否满足阈值,其中对所述存储器管芯的所述性能进行分类至少部分地基于确定所述第三错误率或所述第四错误率是否满足所述阈值。

7.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:

输出对所述第三错误率、所述第四错误率、所述存储器管芯的所述性能或它们的组合的指示。

8.一种用于检测的方法,其包括:

将存储器管芯的具有第一长度的第一组存取线中的存取线的第一子集与衬底耦合;

将所述第一组中的存取线的第二子集与所述衬底隔离,所述第二子集与所述第一子集不同;

至少部分地基于将所述第一子集与所述衬底耦合并且将所述第二子集与所述衬底隔离,将电子束施加到所述第一组存取线;

用所述电子束扫描所述存储器管芯的具有与所述第一长度不同的第二长度的第二组存取线;

至少部分地基于扫描所述第一组存取线来确定与所述第一组存取线相关联的第一错误率;

至少部分地基于扫描所述第二组存取线来确定与所述第二组存取线相关联的第二错误率;以及

至少部分地基于与所述第一组存取线相关联的所述第一错误率和与所述第二组存取线相关联的所述第二错误率来对所述存储器管芯的性能进行分类。

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:

至少部分地基于施加所述电子束来识别存取线的第一数量,其中确定所述第一错误率至少部分地基于识别存取线的所述第一数量。

10.根据权利要求1所述的方法,其中:

所述存储器管芯的第一存储器块包括所述第一组字线;并且

所述存储器管芯的与所述第一存储器块不同的第二存储器块包括所述第二组字线。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器管芯的错误类型包括存取线间短路、存取线-通孔短路或它们的组合。

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