[发明专利]泄漏源检测

说明书

本申请涉及泄漏源检测。在一些情况下，测试装置可以扫描存储器管芯的具有第一长度的第一组存取线和存储器管芯的具有与第一长度不同的第二长度的第二组存取线。测试装置可以确定与第一组存取线相关联的第一错误率和与第二组存取线相关联的第二错误率。测试装置可以基于第一错误率和第二错误率来对存储器管芯的性能进行分类。在一些情况下，测试装置可以基于第一和第二错误率来确定与错误的类型相关联的第三错误率，并且可以基于第三错误率来对存储器管芯的性能进行分类。

交叉引用

本专利申请要求Majumdar等人在2019年11月14日提交的题为“泄漏源检测(LEAKAGE SOURCE DETECTION)”的第16/684,533号美国专利申请，所述美国专利申请被转让给本申请的受让人并且通过引用方式全部明确地并入本文。

技术领域

本技术领域涉及泄漏源检测。

背景技术

以下总体上涉及包含至少一个存储器装置的一或多个系统，并且更具体地涉及泄漏源检测。

存储器装置被广泛用于在诸如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等之类的各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，通常用逻辑1或逻辑0表示。在一些示例中，单个存储器单元可以支持两个以上的状态，可以存储其中任何一个状态。为了存取所存储的信息，部件可以读取或感测存储器装置中的至少一个存储状态。为了存储信息，部件可以在存储器装置中写入状态或对所述状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等等。存储器单元可以是易失性的或非易失性的。即使没有外部电源，非易失性存储器(例如，FeRAM)也可以长时间维持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如，DRAM)在与外部电源断开连接时可能会丢失其存储状态。

发明内容

描述了一种方法。所述方法可以包含：用电子束扫描存储器管芯的具有第一长度的第一组存取线和所述存储器管芯的具有与所述第一长度不同的第二长度的第二组存取线；至少部分地基于扫描所述第一组存取线来确定与所述第一组存取线相关联的第一错误率；至少部分地基于扫描所述第二组存取线来确定与所述第二组存取线相关联的第二错误率；以及至少部分地基于与所述第一组存取线相关联的所述第一错误率和与所述第二组存取线相关联的所述第二错误率来对所述存储器管芯的性能进行分类。

描述了另一种方法。所述方法可以包含：将存储器管芯的多个存储器块的存取线蚀刻到第一长度，所述多个存储器块包括第一存储器块；将第二存储器块的存取线蚀刻到比所述第一长度短的第二长度；用电子束扫描所述第一存储器块的具有所述第一长度的所述存取线和所述第二存储器块的具有所述第二长度的所述存取线；以及至少部分地基于所述扫描所述第一存储器块和所述第二存储器块来确定所述存储器管芯的性能。

描述了一种设备。所述设备可以包含：存储器管芯的第一部分，所述第一部分包括具有第一长度的第一组存取线；以及所述存储器管芯的第二部分，所述第二部分包括具有与所述第一长度不同的第二长度的第二组存取线，其中所述存储器管芯的所述第二部分可操作以确定与第一类型的错误相关联的第一错误率和与与所述第一类型的错误不同的第二类型的错误相关联的第二错误率。

附图说明

图1示出了根据如本文公开的示例的支持泄漏源检测的系统的示例。

图2示出了根据如本文公开的示例的支持泄漏源检测的测试装置的示例。

图3A和3B示出了根据如本文公开的示例的支持泄漏源检测的存取线配置的示例。