[发明专利]具有层压介电膜的半导体结构及制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：

半导体材料区，所述半导体材料区具有主表面；

第一绝缘结构，所述第一绝缘结构在所述主表面上方；

第一导电电极，所述第一导电电极在所述第一绝缘结构上方；

层压膜结构，所述层压膜结构在所述第一导电电极上方，所述层压膜结构包括：

第一膜，所述第一膜与所述第一导电电极相邻，所述第一膜包含金红石相二氧化钌；和

第二膜，所述第二膜在所述第一膜上方，其中所述第二膜包含高介电常数介电材料；和

第二导电电极，所述第二导电电极在所述层压膜结构上方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述第二膜包含金红石相二氧化钛。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述层压膜结构还包括第三膜，所述第三膜插置在所述第二膜与所述第二导电电极之间，所述第三膜包含氧化铝、氧化铪、氧化锆或氧化硅中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述半导体结构还包括：

第二绝缘结构，所述第二绝缘结构在所述第二导电电极上方；

和

沟槽，所述沟槽被设置在所述第二绝缘结构内；

所述层压膜结构至少部分地被设置在所述沟槽内；并且

所述第一膜在所述沟槽内与所述第一导电电极物理接触。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：

第一导电通孔，所述第一导电通孔耦接到所述第一导电电极；

第二导电通孔，所述第二导电通孔耦接到所述第二导电电极；并且

所述第一导电通孔接触所述第一膜的侧表面，并且还电耦接到与所述第一导电电极分开的导电互连结构。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：

保护结构，所述保护结构在所述第二导电电极上方，所述保护结构包括：

碳化硅层；和

介电层，所述介电层在所述碳化硅层上方。

7.一种半导体结构，所述半导体结构包括：

半导体材料区：

第一导电电极，所述第一导电电极在所述半导体材料区上方；

第一绝缘结构，所述第一绝缘结构将所述第一导电电极与所述半导体材料区分开；

层压膜结构，所述层压膜结构在所述第一导电电极上方，所述层压膜结构包括：

第一膜，所述第一膜与所述第一导电电极相邻，所述第一膜包含金红石相二氧化钌；

第二膜，所述第二膜在所述第一膜上方，其中所述第二膜包含金红石相二氧化钛；和

第三膜，所述第三膜在所述第二膜上方，其中所述第三膜包含介电材料；和

第二导电电极，所述第二导电电极在所述层压膜结构上方。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：

所述第三膜包含氧化铝、氧化铪、氧化锆或氧化硅中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：

所述半导体结构还包括：

第二绝缘结构，所述第二绝缘结构在所述第二导电电极上方；

和

沟槽，所述沟槽被设置在所述第二绝缘结构内；并且

所述层压膜结构至少部分地被设置在所述沟槽内。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：

所述第一膜在所述沟槽内与所述第一导电电极物理接触；并且

所述半导体结构还包括：

第一导电通孔，所述第一导电通孔耦接到所述第一导电电极；

和

第二导电通孔，所述第二导电通孔耦接到所述第二导电电极。