[发明专利]一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统

说明书

本发明公开了一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统，双枪双进料系统电子束熔炼炉包括电子束熔炼室、电子束枪、第一进料通道、第二进料通道和出料通道，电子束熔炼室内设置有磁屏蔽复合罩，磁屏蔽复合罩形成屏蔽腔，屏蔽腔内可拆卸设置有吸收罩，结晶器位于屏蔽腔内；磁屏蔽复合罩上开设有电子束枪开口、进料口和出料口；吸收罩位于结晶器上方，吸收罩上开设有通口，本发明可实现电磁屏蔽、间隙原子杂质(C、H、O、N)吸收和熔炼挥发物收集，可以有效防止外部电磁场对电子束控制的影响，使电子束轨迹可控且稳定，还能够满足电子束熔炼的特殊工业要求，更有利于材料的提纯，实现熔炼效率、安全性和铸锭提纯效果三重兼顾和提升。

技术领域

本发明属于真空熔炼技术领域，具体涉及一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统。

背景技术

电子束熔炼炉广泛应用于稀有、难熔金属的熔炼和提纯过程，其工作原理是在高真空环境下将高速电子束的动能转化为熔化金属的热能，并在熔炼过程中除去材料中的低熔点、高饱和蒸汽压杂质。

高能电子束的精确控制是先进电子束熔炼炉的核心技术之一，在高真空环境下，阴极经高压电场加热后发出的电子束，会以极高的速度向阳极运动，穿过阳极后，在聚焦线圈和偏转线圈的控制下，必须准确地轰击到熔炼电极上，电极熔化形成熔池，为了保证熔炼效率、控制熔炼时间，目前先进的电子束熔炼炉多采用双枪双进料系统结构，更应将高能电子束的精确控制提升到相应高度。

实际工况下，电子束熔炼炉周围安装有大量大型配套设备，这些大型设备的存在，大大增加了电子束炉周围电磁场的复杂程度，也必将会使熔炼炉所产生的高能电子束发生偏转。高能电子束偏转不仅会增加设备控制难度，影响工作效率和能力，还会带来巨大的安全隐患。因此，提供一种适用于双枪双进料系统电子束熔炼炉且具有更高铸锭提纯效果的磁屏蔽系统，刻不容缓。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统。本发明通过设置于双枪双进料系统电子束熔炼炉内的磁屏蔽复合罩和吸收罩实现电磁屏蔽、间隙原子杂质(C、H、O、N)吸收和熔炼挥发物收集，相较于传统磁屏蔽装置，本发明的磁屏蔽系统不仅可以有效防止外部电磁场对电子束控制的影响，使电子束轨迹可控且稳定，还能够满足电子束熔炼的特殊工业要求，更有利于材料的提纯，实现熔炼效率、安全性和铸锭提纯效果三重兼顾和提升。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统，所述双枪双进料系统电子束熔炼炉包括电子束熔炼室、电子束枪、结晶器、第一进料通道、第二进料通道和出料通道，所述电子束熔炼室包括炉体，所述电子束枪为两把，两把所述电子束枪间隔安装于炉体顶部壁面上，所述第一进料通道设置于炉体顶部且位于两把电子束枪之间，所述第二进料通道设置于炉体侧部，所述第一进料通道轴线和第二进料通道轴线垂直，所述结晶器设置于炉体内且所述结晶器的下部开口正对所述出料通道，所述出料通道内设置有可打开或关闭所述出料通道的炉阀，其特征在于，所述炉体内固定设置有磁屏蔽复合罩，所述磁屏蔽复合罩形成屏蔽腔，所述屏蔽腔内可拆卸设置有吸收罩，所述结晶器位于所述屏蔽腔内；

所述磁屏蔽复合罩上对应电子束枪处开设有供电子束枪穿过的电子束枪开口，所述磁屏蔽复合罩上对应第一进料通道和第二进料通道处分别开设有进料口，两个所述进料口上均设置有可打开或关闭相应进料口的进料口暗门，所述磁屏蔽复合罩上对应所述出料通道处开设有出料口；

所述炉阀上部设置有可封堵所述出料口的密封塞，所述密封塞与炉阀固定连接；

所述吸收罩位于结晶器上方，所述吸收罩上开设有通口，所述通口位于第一进料通道下方且正对第一进料通道。

上述的一种用于双枪双进料系统电子束熔炼炉的磁屏蔽系统，其特征在于，所述磁屏蔽复合罩的形状与炉体内腔形状匹配，所述磁屏蔽复合罩焊接于炉体内腔的壁面上；所述密封塞与所述出料口形状匹配，所述密封塞材质与磁屏蔽复合罩材质相同。