[发明专利]晶圆键合结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、位于所述第一衬底上的第一介质层和嵌设于所述第一介质层中的第一金属层；

将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合；所述第一晶圆和所述第二晶圆中具有开孔，所述开孔贯穿所述第二晶圆和部分厚度的所述第一介质层且暴露出所述第一金属层；

形成隔离层，所述隔离层至少覆盖所述开孔的侧壁和部分所述第一金属层，所述隔离层具有暴露出所述第一金属层的开口；

形成焊盘，所述焊盘位于所述开孔的底部的所述隔离层上且与所述第一金属层电连接。

2.如权利要求1所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，所述第二晶圆包括第二衬底和位于所述第二衬底上的第二介质层；将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合之前包括：

形成第一介质通孔，所述第一介质通孔贯穿部分厚度的所述第一介质层且暴露出所述第一金属层；

形成第二介质通孔，所述第二介质通孔贯穿所述第二介质层。

3.如权利要求2所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合之前还包括：

在所述第一介质通孔中形成第一填充层，在所述第二介质通孔中形成第二填充层。

4.如权利要求3所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，所述第一填充层和所述第二填充层的材质包括：有机物或含碳材质。

5.如权利要求3所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合之后还包括：

形成硅通孔，所述硅通孔贯穿所述第二衬底暴露出所述第二填充层；

去除所述第二填充层和所述第一填充层；

所述硅通孔、所述第二介质通孔和所述第一介质通孔连通构成所述开孔。

6.如权利要求1至5任意一项所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，去除所述第二填充层和所述第一填充层采用干法刻蚀工艺和/或灰化工艺。

7.如权利要求1至5任意一项所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，形成所述焊盘的步骤中，所述焊盘还填充所述开口且与所述第一金属层电连接。

8.如权利要求1至5任意一项所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，

形成所述隔离层之后，形成所述焊盘之前还包括：形成插塞，所述插塞填充在所述开口中；

所述焊盘覆盖所述插塞和部分所述隔离层且与所述第一金属层电连接。

9.一种晶圆键合结构，其特征在于，包括：

键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、位于所述第一衬底上的第一介质层和嵌设于所述第一介质层中的第一金属层；

开孔，所述开孔贯穿所述第二晶圆和部分厚度的所述第一介质层且暴露出所述第一金属层；

隔离层，所述隔离层至少覆盖所述开孔的侧壁和部分所述第一金属层，所述隔离层具有暴露出所述第一金属层的开口；

焊盘，所述焊盘位于所述开孔的底部的所述隔离层上且与所述第一金属层电连接。

10.如权利要求9所述的晶圆键合结构的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆为逻辑晶圆，所述第二晶圆为像素晶圆或存储晶圆。