[发明专利]一种半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

衬底；

外延层，形成于衬底表面，所述外延层的上部形成有沟槽，所述沟槽包括至少一位于有源区的第一沟槽和多个位于终端区的第二沟槽，多个所述第二沟槽之间形成有多个二氧化硅台面结构；

二氧化硅氧化层，形成于所述第二沟槽底部和侧壁；

硅介质层，形成于第二沟槽内，并覆盖在二氧化硅氧化层上；

多晶硅，填充于所述第一沟槽内；

栅氧化层，形成于所述多晶硅与第一沟槽之间；

钝化层，形成于所述终端区的外延层表面上；

金属层，形成于所述有源区的外延层及钝化层表面上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述二氧化硅台面结构的宽度为0.1-0.5um。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：多个所述第二沟槽间隔均匀分布于所述终端区中。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

a、于外延层的上部制备沟槽，所述沟槽包括至少一位于有源区的第一沟槽和多个位于终端区的第二沟槽；

b、使用热氧化法氧化所述第二沟槽底部、侧壁和多个第二沟槽之间形成的多个台面结构，以形成二氧化硅氧化层和二氧化硅台面结构；

c、在所述第二沟槽内淀积介质层，对介质层进行反刻，并在第二沟槽内残留部分介质层；

d、在每个第一沟槽的侧壁长栅氧化层，然后在第一沟槽中淀积多晶硅，再对多晶硅进行反刻；

e、在有源区和终端区的外延层表面淀积钝化层，对有源区中的钝化层进行孔层刻蚀，直至露出外延层；

f、在有源区的外延层及部分钝化层表面上溅射金属层。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述步骤a具体包括：

a1、在衬底的外延层上生长一层氧化层，在氧化层上旋涂光刻胶，并对所述氧化层进行曝光，以暴露出终端区和有源区的沟槽刻蚀窗口；

a2、对氧化层上终端区的沟槽刻蚀窗口区域以及对应位置的外延层进行刻蚀，以在终端区的外延层上形成多个第二沟槽；

a3、对氧化层上有源区的沟槽刻蚀窗口区域以及对应位置的外延层进行刻蚀，以在有源区的外延层上形成至少一第一沟槽。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述介质层的组成材料为二氧化硅、氮化硅或多晶硅。

7.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述台面结构的宽度为0.1-0.5um。