[发明专利]一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：

一、将粗、细两种碳化硅粉末按质量比为1：(0.2～2)混合均匀，得到碳化硅混合粉末；按碳化硅混合粉末的质量百分浓度为10％～30％将碳化硅混合粉末加入到无水非极性溶剂中，混合均匀后，再按二三价金属醇盐的质量百分浓度为0.1％～0.3％加入二三价金属醇盐，搅拌反应30～60min，得到碳化硅分散液Ⅰ；

二、按水与正丁醇的混合溶液的质量百分浓度为1％～3％，将水与正丁醇的混合溶液滴加到碳化硅分散液Ⅰ中，搅拌反应30～60min，得到碳化硅分散液Ⅱ；

三、将碳化硅分散液Ⅱ在高于所使用有机溶剂沸点的条件下干燥12h～24h，得到处理过的碳化硅粉末；

四、按分散剂的质量百分比浓度为1％～10％、处理过的碳化硅粉的质量百分比浓度为10％～30％、烧结助剂的质量百分浓度为1％～10％称取分散剂、处理过的碳化硅粉和烧结助剂；先将分散剂加入到去离子水中，搅拌均匀后再加入处理过的碳化硅粉，搅拌分散2～5min后再加入烧结助剂，持续搅拌5～10min，得到浆液；

五、将多孔陶瓷支撑体浸入到浆液中保持1～5min后取出，在温度为40～80℃的条件下干燥8～24h，得到预制体；

六、将预制体放在烧结炉中，将烧结炉腔内先抽真空至10^-4-10^-6Pa，然后充入氩气至5～10个大气压，然后以1000～1500℃/h的升温速度加热到1500～2000℃保持4～5h，降温，得到含碳化硅膜的多孔陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中所述的无水非极性溶剂为正己烷、环己烷、石油醚或二氧六环。

3.根据权利要求1或2所述的一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中所述的二三价金属醇盐为三异丙醇铝、三乙醇铝、乙醇镁或异丙醇镁。

4.根据权利要求1或2所述的一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤二中所述的水与正丁醇的混合溶液中，水与正丁醇的摩尔比为1：(4～5)。

5.根据权利要求1或2所述的一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤四中所述的分散剂为聚乙二醇、聚丙烯酰胺或羧甲基纤维素。

6.根据权利要求1或2所述的一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤四中所述的分烧结助剂为氧化铝、氧化钇或硼。

7.根据权利要求1或2所述的一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤五中所述的多孔陶瓷支撑体的孔径范围1～1000μm，孔隙率为20％～90％。

8.根据权利要求1或2所述的一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，其特征在于步骤五中所述的多孔陶瓷支撑体为氧化铝、氮化硼或碳化硅。