[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅电极，在基底上沿第一方向彼此间隔开，第一方向垂直于基底的上表面，并且栅电极以阶梯形状堆叠；

沟道，沿第一方向延伸穿过栅电极；

第一导电贯穿过孔，延伸穿过栅电极之中的第一栅电极的导电垫并且电连接到该导电垫，第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的设置在第一栅电极下的第二栅电极；以及

绝缘结构，位于第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个的面对第一导电贯穿过孔的侧壁之间，绝缘结构使第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个电绝缘。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，第一导电贯穿过孔包括：

竖直部分，沿第一方向延伸；以及

突出部分，在平行于基底的上表面的水平方向上从竖直部分突出，并且

其中，突出部分接触第一栅电极的导电垫的侧壁。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，第一导电贯穿过孔还包括位于竖直部分上的斜坡部分，斜坡部分具有从斜坡部分的底部朝向斜坡部分的顶部逐渐增大的宽度。

4.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，从第一导电贯穿过孔的竖直部分的侧壁到第一栅电极的导电垫的面对第一导电贯穿过孔的突出部分的侧壁的距离等于或小于从第一导电贯穿过孔的竖直部分的侧壁到第二栅电极中的每个的面对第一导电贯穿过孔的侧壁的距离。

5.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，绝缘结构包括：

绝缘图案；以及

间隔件，覆盖绝缘图案的下表面和上表面。

6.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，绝缘图案包括氧化物，并且间隔件包括氮化物。

7.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括覆盖栅电极中的每个的下表面和上表面的阻挡图案，

其中，阻挡图案不形成在第一栅电极的导电垫的面对第一导电贯穿过孔的侧壁上，并且形成在第二栅电极中的每个的面对第一导电贯穿过孔的侧壁上。

8.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，栅电极中的每个在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且

其中，导电垫分别形成在栅电极中的每个的在第二方向上的端部处，并且在第一方向上具有比栅电极中的每个的其它部分的厚度大的厚度。

9.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

下电路图案；

绝缘夹层，位于基底上，绝缘夹层覆盖下电路图案；以及

共源极板，位于绝缘夹层上，

其中，栅电极形成在共源极板上。

10.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，其中，第一导电贯穿过孔延伸穿过共源极板与绝缘夹层的上部，并且电连接到下电路图案。

11.根据权利要求10所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括位于第一导电贯穿过孔与共源极板之间的绝缘图案，绝缘图案使第一导电贯穿过孔与共源极板电绝缘并且包括氧化物。

12.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括与第一导电贯穿过孔处于同一水平的第二导电贯穿过孔，第二导电贯穿过孔不延伸穿过共源极板和栅电极，并且第二导电贯穿过孔延伸穿过绝缘夹层的上部以电连接到下电路图案。

13.根据权利要求12所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括与第一导电贯穿过孔处于同一水平的第三导电贯穿过孔，第三导电贯穿过孔延伸穿过栅电极、共源极板与绝缘夹层的上部以电连接到下电路图案。