[发明专利]垂直存储器装置

说明书

公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括栅电极、沟道、第一导电贯穿过孔和绝缘结构。栅电极在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此间隔开，并且可以以阶梯形状堆叠。沟道沿第一方向延伸穿过栅电极。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的第一栅电极的导电垫并且与该导电垫电连接。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的在第一栅电极下的第二栅电极。绝缘结构形成在第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个的侧壁之间，并且使第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个电绝缘。

要求于2019年12月19日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0171208号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种垂直存储器装置。

背景技术

在VNAND闪存装置中，接触基底的垫区域的对应的栅电极的接触插塞有时也可以通过穿通来接触下面的栅电极。这可能导致栅电极与对应的(多个)下面的栅电极之间的电短路。因此，需要一种防止这种电短路的方法。

发明内容

发明构思的实施例提供了一种具有改善的电特性的垂直存储器装置。

发明构思的实施例提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置可以包括栅电极、沟道、第一导电贯穿过孔和绝缘结构。栅电极可以在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此间隔开，并且可以以阶梯形状堆叠。沟道可以沿第一方向延伸穿过栅电极。第一导电贯穿过孔可以延伸穿过栅电极之中的第一栅电极的导电垫并且与该导电垫电连接。第一导电贯穿过孔可以延伸穿过栅电极之中的设置在第一栅电极下的第二栅电极。绝缘结构可以形成在第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个的面对第一导电贯穿过孔的侧壁之间，并且使第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个电绝缘。

发明构思的实施例还提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置可以包括栅电极、沟道以及第一导电贯穿过孔至第三导电贯穿过孔。栅电极可以在基底的第一区域和第二区域上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此间隔开。基底包括第一区域和第二区域以及第三区域，并且栅电极可以在基底的第二区域上具有阶梯形状。沟道可以在基底的第一区域上沿第一方向延伸穿过栅电极。第一导电贯穿过孔可以在基底的第二区域上延伸穿过栅电极中的一些栅电极，第一导电贯穿过孔电连接到栅电极中的所述一些栅电极中的处于最上面的水平的第一栅电极，并且第一导电贯穿过孔可以与栅电极中的所述一些栅电极之中的在第一栅电极下的第二栅电极电绝缘。第二导电贯穿过孔可以在基底的第三区域上与第一导电贯穿过孔形成在同一水平处。第三导电贯穿过孔可以在基底的第一区域上与第一导电贯穿过孔形成在同一水平处，并且可以延伸穿过栅电极并与栅电极电绝缘。第一导电贯穿过孔至第三导电贯穿过孔可以具有相同的宽度。第一导电贯穿过孔至第三导电贯穿过孔中的每个可以包括竖直部分和斜坡部分，竖直部分沿第一方向延伸，斜坡部分具有从斜坡部分的底部朝向斜坡部分的顶部逐渐增大的宽度。

发明构思的实施例再提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置可以包括栅电极、沟道和第一导电贯穿过孔。栅电极可以在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此间隔开，并且可以以阶梯形状堆叠。沟道可以沿第一方向延伸穿过栅电极。第一导电贯穿过孔可以在基底上延伸穿过栅电极中的一些栅电极，并且可以延伸穿过栅电极中的所述一些栅电极中的处于最上面的水平的第一栅电极的导电垫且电连接到该导电垫。第一导电贯穿过孔可以与栅电极中的所述一些栅电极的在第一栅电极下的第二栅电极电绝缘。第一导电贯穿过孔可以包括竖直部分、突出部分和斜坡部分，竖直部分沿第一方向延伸，突出部分在基本平行于基底的上表面的水平方向上从竖直部分突出，斜坡部分位于竖直部分上，具有从斜坡部分的底部朝向斜坡部分的顶部逐渐增大的宽度。