[发明专利]一种高阻隔聚酰亚胺薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高阻隔聚酰亚胺薄膜材料，其特征在于，将含酰胺键的二胺单体和四羧酸二酐单体进行缩聚反应得到聚酰胺酸，将该聚酰胺酸与异氰酸丙基三乙氧基硅烷进行反应，再加入正硅酸乙酯进行反应，之后进行涂膜，即得到所述聚酰亚胺薄膜材料；

所述含酰胺键的二胺单体为4，4'-二氨基苯酰替苯胺；

所述四羧酸二酐单体为3，3'，4，4'-联苯四羧酸二酐、4，4'-氧双邻苯二甲酸酐、3，3'，4，4'-二苯甲酮四甲酸二酐、4，4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐中的至少一种。

2.一种根据权利要求1所述高阻隔聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将含酰胺键的二胺单体溶于有机溶剂中，再加入四羧酸二酐单体进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；

S2、向聚酰胺酸溶液中加入异氰酸丙基三乙氧基硅烷进行反应，再加入正硅酸乙酯进行反应，之后进行涂膜，加热进行热亚胺化反应，即得到所述聚酰亚胺薄膜材料。

3.根据权利要求2所述高阻隔聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述含酰胺键的二胺单体和四羧酸二酐单体的摩尔比为1.05-1.15:1。

4.根据权利要求2或3所述高阻隔聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，进行缩聚反应的温度为10-30℃，时间为5-8h。

5.根据权利要求2或3所述高阻隔聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述异氰酸丙基三乙氧基硅烷的用量是四羧酸二酐单体摩尔量的50-80％，所述正硅酸乙酯的用量是四羧酸二酐单体摩尔量的60-150％。

6.根据权利要求2或3所述高阻隔聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，加入异氰酸丙基三乙氧基硅烷进行反应的温度为50-60℃，时间为1-3h；加入正硅酸乙酯进行反应的温度为20-30℃，时间为15-20h。

7.根据权利要求2或3所述高阻隔聚酰亚胺薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，加热进行热亚胺化反应的温度为80-350℃，时间为3-8h。

8.一种根据权利要求1所述高阻隔聚酰亚胺薄膜材料在柔性显示器的应用。