[发明专利]4H-SIC MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件，包括：

半导体主体，具有沿一方向彼此相对的第一面和第二面；

源极端子，包括掺杂区域和金属层，所述掺杂区域在所述半导体主体的所述第一面处延伸，所述金属层电耦合到所述掺杂区域；以及

漏极端子，在所述半导体主体的所述第二面处延伸，

其中所述掺杂区域包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域具有第一掺杂浓度和在所述半导体主体中的第一最大深度，所述第二子区域具有第二掺杂浓度和在所述半导体主体中的第二最大深度，并且

其中所述第二掺杂浓度和所述第二最大深度中的至少一项具有分别比所述第一掺杂浓度和所述第一最大深度的值高的相应值，

所述金属层唯一地通过所述第二子区域与所述源极端子电接触，所述金属层仅在所述源极端子的所述第二子区域处与所述源极端子直接物理接触。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中：

所述第一掺杂浓度具有在1·10¹⁸原子/cm³-1·10²⁰原子/cm³的范围内的值，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度，并且具有在1·10¹⁹原子/cm³-1·10²⁰原子/cm³的范围内的值，所述第一最大深度具有在0.2μm-0.4μm的范围内的值，并且所述第二最大深度具有在0.6μm-0.7μm的范围内的值。

3.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中：

所述第一掺杂浓度具有在1·10¹⁸原子/cm³-2·10¹⁹原子/cm³的范围内的值，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度，并且具有在1·10¹⁹原子/cm³-1·10²⁰原子/cm³的范围内的值，并且在0.2μm-0.4μm的范围内，所述第一最大深度等于所述第二最大深度。

4.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中：

所述第一掺杂浓度具有在1·10¹⁹原子/cm³-1·10²⁰原子/cm³的范围内的值，所述第二掺杂浓度等于所述第一掺杂浓度，所述第一最大深度具有在0.1μm-0.2μm的范围内的值，并且所述第二最大深度高于所述第一最大深度，并且具有在0.2μm-0.4μm的范围内的值。

5.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中：

所述第一掺杂浓度具有在1·10¹⁸原子/cm³-2·10¹⁹原子/cm³的范围内的值，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度，并且具有在1·10¹⁹原子/cm³-1·10²⁰原子/cm³的范围内的值，所述第一最大深度具有在0.1μm-0.4μm的范围内的值，并且所述第二最大深度具有在0.2μm-0.4μm的范围内的值。

6.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中：

所述第一掺杂浓度具有在1·10¹⁸原子/cm³-2·10¹⁹原子/cm³的范围内的值，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度，并且具有在1·10¹⁹原子/cm³-1·10²⁰原子/cm³的范围内的值，所述第一最大深度具有在0.1μm-0.4μm的范围内的值，并且所述第二最大深度具有在0.6μm-0.7μm的范围内的值。

7.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述第一子区域和所述第二子区域处于直接相互电接触。