[发明专利]一种高速开关结构及制备方法在审
申请号: | 202011279267.0 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN112259601A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 吕宇强;鞠建宏;倪胜中 | 申请(专利权)人: | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L27/02 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
地址: | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高速 开关 结构 制备 方法 | ||
1.一种高速开关结构,其特征在于,包括:P型衬底、浅槽隔离及深槽环,
所述P型衬底上设置有P型衬底有源引出端以及深N阱隔离边界,所述浅槽隔离设置于所述P型衬底有源引出端的内侧,所述深槽环设置于所述浅槽隔离的内侧;
其中,所述深槽环内部包含有所述深N阱隔离边界,且所述深槽环内侧设置有深N阱隔离有源区引出端。
2.根据权利要求1的所述一种高速开关结构,其特征在于,所述深N阱隔离有源区引出端内侧设置有P型体区和深N阱隔离边界;
其中,所述P型体区和深N阱隔离的边界的内侧还依次包括:P型体区的有源引出端、源有源区和漏有源区以及多晶硅栅极。
3.根据权利要求1所述的一种高速开关结构,其特征在于,所述深槽环的深度为5-120μm,深槽环的宽度为5-50μm。
4.根据权利要求3所述一种高速开关结构,其特征在于,所述深槽环的侧壁与深槽环底部夹角在90-135°,所述深槽环侧壁与深槽环顶部硅水平表面夹角也在90-135°。
5.一种高速开关制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
S1、形成MOS开关管的隔离深N阱和有源区以及标准化N阱和P阱的注入和扩散;
S2、淀积第一薄膜于所述深N阱外做为深槽环的硬掩模,涂覆光刻胶于所述第一薄膜进行深槽环图形光刻后,以形成深槽环,其中,深槽环内包部含所述P型衬底上的深N阱隔离边界的侧壁,且所述深槽环内侧设置有深N阱隔离有源区引出端;
S3、移除所述光刻胶和硬掩模,热生长一层薄氧化层作为过渡层,淀积低介电常数介质填充深槽环,然后进行刻蚀或者化学机械平坦化;
S4、进行金属后道工艺,通过热生长栅氧化层及淀积多晶硅,形成源漏区域和金属硅化物。
6.根据权利要求5所述的一种高速开关制备方法,其特征在于,所述深槽环的深度为5-120μm,深槽环的宽度为5-50μm。
7.根据权利要求6所述一种高速开关制备方法,其特征在于,所述深槽环的侧壁与深槽环底部夹角在90-135°,深槽环侧壁与深槽环顶部硅水平表面夹角也在90-135°。
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