[发明专利]一种高速开关结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 202011279267.0 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112259601A 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 吕宇强;鞠建宏;倪胜中 申请(专利权)人: 江苏帝奥微电子股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L27/02
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 周新楣
地址: 226000 江苏省南通市崇*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高速 开关 结构 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高速开关结构,其特征在于,包括:P型衬底、浅槽隔离及深槽环,

所述P型衬底上设置有P型衬底有源引出端以及深N阱隔离边界,所述浅槽隔离设置于所述P型衬底有源引出端的内侧,所述深槽环设置于所述浅槽隔离的内侧;

其中,所述深槽环内部包含有所述深N阱隔离边界,且所述深槽环内侧设置有深N阱隔离有源区引出端。

2.根据权利要求1的所述一种高速开关结构,其特征在于,所述深N阱隔离有源区引出端内侧设置有P型体区和深N阱隔离边界;

其中,所述P型体区和深N阱隔离的边界的内侧还依次包括:P型体区的有源引出端、源有源区和漏有源区以及多晶硅栅极。

3.根据权利要求1所述的一种高速开关结构,其特征在于,所述深槽环的深度为5-120μm,深槽环的宽度为5-50μm。

4.根据权利要求3所述一种高速开关结构,其特征在于,所述深槽环的侧壁与深槽环底部夹角在90-135°,所述深槽环侧壁与深槽环顶部硅水平表面夹角也在90-135°。

5.一种高速开关制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

S1、形成MOS开关管的隔离深N阱和有源区以及标准化N阱和P阱的注入和扩散;

S2、淀积第一薄膜于所述深N阱外做为深槽环的硬掩模,涂覆光刻胶于所述第一薄膜进行深槽环图形光刻后,以形成深槽环,其中,深槽环内包部含所述P型衬底上的深N阱隔离边界的侧壁,且所述深槽环内侧设置有深N阱隔离有源区引出端;

S3、移除所述光刻胶和硬掩模,热生长一层薄氧化层作为过渡层,淀积低介电常数介质填充深槽环,然后进行刻蚀或者化学机械平坦化;

S4、进行金属后道工艺,通过热生长栅氧化层及淀积多晶硅,形成源漏区域和金属硅化物。

6.根据权利要求5所述的一种高速开关制备方法,其特征在于,所述深槽环的深度为5-120μm,深槽环的宽度为5-50μm。

7.根据权利要求6所述一种高速开关制备方法,其特征在于,所述深槽环的侧壁与深槽环底部夹角在90-135°,深槽环侧壁与深槽环顶部硅水平表面夹角也在90-135°。

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