[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成由多对层间绝缘层和层间牺牲层堆叠的堆叠层，所述堆叠层包括存储区和与所述存储区相邻的阶梯区；

刻蚀所述存储区顶部的至少两对层间绝缘层和层间牺牲层，以去除所述存储区顶部的所述至少两对层间绝缘层和层间牺牲层；

在刻蚀后的堆叠层上形成绝缘层；

去除位于所述阶梯区顶部的绝缘层，保留位于所述存储区的绝缘层；

去除位于所述阶梯区顶部的层间牺牲层，同时使所述堆叠层的表面平坦化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：

在垂直于所述衬底的第一纵向形成贯穿所述存储区堆叠层和绝缘层的下沟道孔；

形成填充所述下沟道孔的牺牲层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述下沟道孔的步骤，包括：

在所述堆叠层表面形成硬掩膜层；

利用所述硬掩膜层对所述存储区堆叠层进行刻蚀，以形成所述下沟道孔。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述下沟道孔中填充所述牺牲层的步骤，包括：

在所述下沟道孔中和硬掩膜层上沉积所述牺牲层；

去除位于所述绝缘层表面的牺牲层和硬掩膜层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述堆叠层包括位于所述衬底两边的存储区和位于所述存储区之间的阶梯区，一对所述层间绝缘层和层间牺牲层中的所述层间绝缘层位于所述层间牺牲层的上方；去除位于所述阶梯区顶部的绝缘层的步骤，还包括：去除位于所述阶梯区顶部的层间绝缘层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀所述存储区顶部的至少两对层间绝缘层和层间牺牲层的步骤，包括：刻蚀所述存储区顶部的三对层间绝缘层和层间牺牲层；所述绝缘层的厚度等于所述阶梯区顶部的三对层间绝缘层和层间牺牲层中的下面两对层间绝缘层和层间牺牲层的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除位于所述阶梯区顶部的绝缘层的步骤之后，所述存储区与阶梯区交界处的堆叠层上的绝缘层形成有凸起；使所述堆叠层的表面平坦化的步骤，包括：采用化学机械研磨工艺的机械力磨平所述凸起。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上由多对层间绝缘层和层间栅极层堆叠的第一堆叠层，所述第一堆叠层包括存储区和与所述存储区相邻的阶梯区；

覆盖所述存储区的全部所述第一堆叠层上的绝缘层，及位于所述阶梯区的第一堆叠层上的第二堆叠层，所述绝缘层的厚度与所述第二堆叠层的厚度相同，所述第二堆叠层至少包括一对层间绝缘层和层间栅极层；

贯穿所述存储区的第一堆叠层和所述绝缘层的下沟道孔。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一堆叠层包括位于所述衬底两边的存储区和位于所述存储区之间的阶梯区。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，一对所述层间绝缘层和层间栅极层中的所述层间绝缘层位于所述层间栅极层的上方。