[发明专利]一种液态源存储设备

说明书

本发明公开了一种液态源存储设备，应用于原子层沉积设备中，包括：存储罐体和压力检测装置，压力调节管的一端连接所述存储罐体，另一端连接尾气处理装置，流量阀设置于所述压力调节管上，所述流量阀根据所述气体压强对应的流量调节信息进行流量调节。本技术方案通过使用流量阀对于存储罐体中的气态前驱体材料的压强进行有效控制，使得存储罐体内中的气态前驱体材料的压强保持恒稳状态，进而使进入反应腔室内的单位前驱体材料量保持稳定，保证薄膜在生长制备过程中的厚度均匀相同；进一步的，该种液态源存储设备的设置还能够增大存储罐体内部可用液位的范围，进而减少了前驱体材料的填料次数。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆制备技术领域，尤其涉及一种液态源存储设备。

背景技术

现有技术中，常常将液态源前驱体加热使其气化，在惰性气体的推动下进入反应腔室，参与薄膜制备。

以原子层沉积(ALD)方法为例，普遍采用双(二甲基氨基)二乙基硅烷(C₈H₂₂N₂Si，简称SAM24)作为前驱体材料以沉积含硅薄膜，由于SAM24的物理特性，其在温度低于30℃时处于液态状态，在温度高于50℃时将缓慢气化，原子层沉积设备在反应腔室导入前驱体材料时一般设计采用惰性气体作为载气引入气态SAM24。

前驱体材料在存储罐中由液态变为气态，并随载气进入反应腔室，由于存储罐中前驱体受外部温度的影响，气态前驱体材料的压强在各个阶段各有不同，由此进入反应腔室时，参与反应的气态前驱体并不稳定，由此造成制备的薄膜不均匀。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种液态源存储设备，具体技术方案如下所示：

一种液态源存储设备，应用于原子层沉积设备中，其特征在于，包括：

存储罐体，用于存储原子层沉积所需的液态的前驱体材料；

压力检测装置，设置于所述存储罐体上并连通所述存储罐体的内部，用于检测所述存储罐体内部的气体压强并显示；

压力调节管，所述压力调节管的一端连接所述存储罐体，另一端连接尾气处理装置；

流量阀，设置于所述压力调节管上，所述流量阀根据所述气体压强对应的流量调节信息进行流量调节。

优选的，该种液态源存储设备，其中液态源存储设备还包括；

第一单向管道，所述第一单向管道的一端连接一惰性气体源，另一端连接所述存储罐体，所述惰性气体源对应的惰性气体通过所述第一单向管道进入所述存储罐体；

第二单向管道，所述第二单向管道的一端连接所述存储罐体，另一端连接一反应腔室。

优选的，该种液态源存储设备，其中第一单向管道和第二单向管道分别包括一阻通阀。

优选的，该种液态源存储设备，其中流量阀为一蝶阀，包括：

阀体，阀体呈圆环形，与压力调节管同径设置并于压力调节管相匹配；

阀杆，沿压力调节管的径向设置，阀杆的一端可转动的连接阀体，另一端连接一驱动电机的输出轴并可随输出轴的转动而转动；

阀芯，连接阀杆，阀芯与阀体相匹配并可随阀杆的转动而转动。

优选的，该种液态源存储设备，其中驱动电机为步进电机。

优选的，该种液态源存储设备，其中阀杆的另一端通过一联轴器与驱动电机的输出轴相连接。

优选的，该种液态源存储设备，其中压力检测装置还用于将气体压强作为流量调节信号进行输出；