[发明专利]一种印制电路板OSP微蚀前处理液及微蚀方法

说明书

本发明公开了一种印制电路板OSP微蚀前处理液及微蚀方法，该印制电路板OSP微蚀前处理液包括以下浓度组份的原料：铜离子络合剂5～15g/L、双氧水稳定剂2～8g/L、双氧水活化促进剂0.5～1.5g/L、缓蚀剂0.2～0.55g/L及阳离子表面活性剂3～6mL/L、添加剂复配液pH＝8±1.0。本发明的有益效果为：本发明提供的印制电路板OSP微蚀前处理液具有铜面光亮洁净、蚀刻速率均匀且保持在0.8～1.2μm/min范围内、微蚀液稳定等优点。

技术领域

本发明涉及OSP前处理蚀技术领域，具体来说，涉及一种印制电路板OSP微蚀前处理液及微蚀方法。

背景技术

作为封装载板及印制电路板版面表面处理工艺，OSP具有较好的抗氧化性好、可焊性优良、低成本等优点，与其他表面处理方法如化学银、化学金、镍金及镍钯金相比具有不可比拟的优势。

然而目前国内OSP前处理微蚀技术相比于国外发达国家如日本等国家的一些企业如美格相比，一直处于竞争劣势，主要的问题在于咬蚀速率随着补充液多次加入，速率下降过快，保持度比较低；另外一方面，咬蚀粗糙度和均匀性都与美格相差较大。目前微蚀处理液的主要体系包括：双氧水/硫酸体系、Cu²⁺/氨水体系、氯化铁体系、过硫酸盐/硫酸体系等。相比于其他体系双氧水/硫酸体系咬蚀速率和均匀性更加优良，得到的咬蚀铜面更加光亮，对于OSP处理更为有利。

现代技术中作为微蚀液可以列举出专利Nl0378194lA，记载的铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板的制造方法，是一种有机酸型的微蚀液，但这种微蚀液材料与硫酸体系相比要成本要高得多。

专利CNl04694909A公开了一种新型的酸性铜面超粗化液包括含氧酸10～50g/L、有机铜80～120g/L、过氧化物60～100g/L、唑类物质2～10g/L、阳离子表面活性剂1～5g/L、卤化物1～5g/L、胍类化合物10～20g/L，该微蚀剂由于卤化物的存在导致反应速率变化大，使用寿命比较短。

专利CNl0l351090公开了一种铜面微蚀处理剂的配方，其主要成分为有机铜10％～50％，有机酸10％～30％、胍类化合物0.1％～5％、唑类化合物物0.1％～5％、醇胺化合物0.1％～5％，其中胍类化合物的是使Cu²⁺离子垂直咬蚀铜面的功能性物质，虽然补加了一些络合剂，但是铜离子的存在仍然会导致微蚀液的稳定性较差，使用寿命较短的问题。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出一种印制电路板OSP微蚀前处理液及微蚀方法，该印制电路板OSP微蚀前处理液具有铜面光亮洁净、蚀刻速率均匀且保持在0.8～1.2μm/min范围内、微蚀液稳定等优点，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

为此，本发明采用的具体技术方案如下：

根据本发明的一个方面，提供了一种印制电路板OSP微蚀前处理液。

该印制电路板OSP微蚀前处理液包括以下浓度组份的原料：

双氧水6～18g/L、硫酸10g/L、铜离子络合剂5～15g/L、双氧水稳定剂2～8g/L、双氧水活化促进剂0.5～1.5g/L、缓蚀剂0.2～0.55g/L及阳离子表面活性剂3～6mL/L、复配液pH＝8±1.0。

进一步的，所述铜离子络合剂为芳香胺类化合物及水杨酸类化合物复配剂。

进一步的，所述芳香胺类化合物包括芳香胺类包括N-甲基卞胺类、叔胺苯基或硝基苯胺衍生物中的至少一种；

所述水杨酸类化合物包括硝基类水杨酸衍生物、乙酰水杨酸或胺类水杨酸衍生物中的至少一种。

进一步的，所述双氧水稳定剂为亚甲基二醇类化合物及含脂肪环类的酯类化合物复配剂。