[发明专利]掩膜板以及三维存储器的制作方法

权利要求书

1.一种掩膜板，包括对准图形，用于通过曝光光源，其特征在于，所述对准图形包括多个对准单元(100)，所述对准单元(100)沿第一方向间隔设置，相邻所述对准单元(100)之间的最小间距为H₁，各所述对准单元(100)由沿第二方向间隔设置的多个对准区域(110)组成，相邻所述对准区域(110)之间的最小间距为H₂，H₁大于H₂，各所述对准区域(110)具有在所述第一方向上的第一长度以及在所述第二方向上的第二长度，所述第一长度与所述第二长度之比大于1，所述第一方向与所述第二方向之间具有夹角。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，相邻所述对准单元(100)通过第一遮光区域(120)间隔设置，同一所述对准单元(100)中相邻的所述对准区域(110)通过第二遮光区域(130)间隔设置，所述第一遮光区域(120)与所述第二遮光区域(130)连通。

3.根据权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述第二长度与所述H₂之比为1：1～4：1。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，同一所述对准单元(100)中相邻的所述对准区域(110)等间距设置。

5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一长度与所述第二长度之比为3：1～30：1。

6.根据权利要求1或5所述的掩膜板，其特征在于，各所述对准区域(110)的面积为0.2～3μm²。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的掩膜板，其特征在于，H₁：H₂≥3。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的掩膜板，其特征在于，相邻所述对准单元(100)等间距设置。

10.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括核心存储区、台阶区和切割道区域，所述核心存储区包括连接的存储单元和第一接触点，所述第一接触点位于所述存储单元远离所述衬底的一侧，所述台阶区包括连接的台阶结构和第二接触点，所述第二接触点位于所述台阶结构远离所述衬底的一侧；

在所述堆叠结构上覆盖绝缘层，并提供权利要求1至9中任一项所述的掩膜板，所述掩膜板包括主体图形和所述对准图形；

通过所述掩膜板对所述绝缘层进行刻蚀，以在所述绝缘层中形成与所述第一接触点和/或所述第二接触点连通的多个接触孔，同时形成位于所述切割道区域中的对位孔，所述掩膜板中的主体图形用于形成所述接触孔，所述掩膜板中的对准图形用于形成所述对位孔；

在所述接触孔中形成与所述第一接触点接触的互连层，并在所述对位孔中形成与所述第二接触点接触的对位标记。