[发明专利]具有散热块的线路基板及其封装结构在审

专利信息
申请号: 202011284460.3 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN114512461A 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 林建辰;李和兴 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/495;H01L23/48
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 薛平;周晓飞
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 散热 线路 及其 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种具有散热块的线路基板,其特征在于,所述具有散热块的线路基板包括:

开放式基板,具有相对的第一表面以及第二表面,其包括:

开口,贯穿所述开放式基板;

散热块,配置在所述开口中,所述散热块包括:

至少一高导热率构件,配置在所述散热块内,且贯穿所述散热块,并且所述至少一高导热率构件的导热率大于所述散热块的导热率;

第一介电层,配置在所述第一表面以及所述散热块之上,且与所述散热块接触连接,并且暴露出部分的所述散热块;

第二介电层,配置在所述第二表面以及所述散热块之上,且与所述散热块接触连接,并且暴露出部分的所述散热块;

至少一第一导热件,配置在所述第一介电层之上,并且与被所述第一介电层暴露出的所述散热块接触连接;以及

至少一第二导热件,配置在所述第二介电层之上,并且与被所述第二介电层暴露出的所述散热块接触连接。

2.根据权利要求1所述的线路基板,其特征在于,所述至少一第一导热件以及所述至少一第二导热件的其中一者与所述至少一高导热率构件接触连接。

3.根据权利要求1所述的线路基板,其特征在于,所述第一介电层配置在所述开口的内壁与所述散热块之间。

4.根据权利要求3所述的线路基板,其特征在于,所述第一介电层以及所述第二介电层彼此接触连接。

5.根据权利要求1所述的线路基板,其特征在于,所述至少一高导热率构件的材料为碳材料。

6.一种具有散热块的线路基板的封装结构,其特征在于,所述具有散热块的线路基板的封装结构包括:

开放式基板,具有相对的第一表面以及第二表面,其包括:

开口,贯穿所述开放式基板;

散热块,配置在所述开口中,所述散热块包括:

至少一高导热率构件,贯穿所述散热块,且所述至少一高导热率构件的导热率大于所述散热块的导热率;

第一介电层,配置在所述第一表面以及所述散热块之上,并且暴露出部分的所述散热块;

第二介电层,配置在所述第二表面以及所述散热块之上,并且暴露出部分的所述散热块;

至少一第一导热件,配置在所述第一介电层之上,并且与被所述第一介电层暴露出的所述散热块接触连接;

至少一第二导热件,配置在所述第二介电层之上,并且与被所述第二介电层暴露出的所述散热块接触连接;以及

芯片,配置在所述至少一第一导热件之上,并且与所述至少一第一导热件接触连接。

7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述至少一第一导热件以及所述至少一第二导热件的其中一者与所述至少一高导热率构件接触连接。

8.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述第一介电层配置在所述开口的内壁与所述散热块之间。

9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述第一介电层以及所述第二介电层彼此接触连接。

10.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述至少一高导热率构件的材料为碳材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011284460.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top