[发明专利]一种氮化镓功率器件导通电阻测试电路

权利要求书

1.一种氮化镓功率器件导通电阻测试电路，其特征在于，所述测试电路包括：

采样限幅模块，连接于所述氮化镓功率器件的漏、源两端，用于采样所述氮化镓功率器件关断时的漏源电压并限幅输出；

输出选择模块，包括第一输出通路及第二输出通路，所述第一输出通路连接于所述采样限幅模块的输出端及地之间，所述第二输出通路连接于所述采样限幅模块的输出端及所述氮化镓功率器件的漏端；所述第一输出通路用于在所述氮化镓功率器件关断时将所述采样限幅模块输出的限幅电压分压后输出，所述第二输出通路用于在所述氮化镓功率器件导通时直接输出所述氮化镓功率器件的导通压降；

其中，所述采样限幅模块包括：采样变压器、第一电阻、第二电阻及第三电阻，所述采样变压器的第一原边连接端通过所述第一电阻连接于所述氮化镓功率器件的漏端，所述采样变压器的第二原边连接端连接于所述氮化镓功率器件的源端并接地，所述采样变压器的第一副边连接端连接于所述第二电阻的一端，所述采样变压器的第二副边连接端连接于所述第三电阻的一端并作为所述采样限幅模块的输出端，所述第二电阻的另一端连接于所述第三电阻的另一端并接地；

所述第一输出通路包括：N个稳压二极管、第四电阻及第五电阻，N个所述稳压二极管串联后的负端连接于所述第四电阻的一端及所述采样限幅模块的输出端，N个所述稳压二极管串联后的正端连接于所述第四电阻的另一端及所述第五电阻的一端，所述第五电阻的另一端接地，同时所述第五电阻的两端作为所述测试电路的两个测试点；其中，N为大于1的正数；

所述第二输出通路包括：一耗尽型NMOS管，所述耗尽型NMOS管的栅端连接于所述采样限幅模块的输出端，所述耗尽型NMOS管的漏端连接于所述氮化镓功率器件的漏端，所述耗尽型NMOS管的源端连接于所述第五电阻的一端。

2.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件导通电阻测试电路，其特征在于，所述采样变压器的匝比与所述氮化镓功率器件关断时的漏源电压呈正相关。

3.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件导通电阻测试电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻及所述第三电阻满足如下关系：（R2+R3）*Nps² /（R1+（R2+R3）*Nps²）=Nps*Vclamp_off/Vds_off；其中，R1为所述第一电阻的阻值，R2为所述第二电阻的阻值，R3为所述第三电阻的阻值，Vds_off为所述氮化镓功率器件关断时的漏源电压，Vclamp_off为在所述氮化镓功率器件关断时所述采样限幅模块输出的限幅电压，Nps为所述采样变压器的匝比。

4.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件导通电阻测试电路，其特征在于，所述稳压二极管的个数与所述耗尽型NMOS管的关断电压相关，二者满足如下关系：|Voff|≤N*Vz；其中，Voff为所述耗尽型NMOS管的关断电压，Vz为所述稳压二极管的导通压降，N为所述稳压二极管的个数。

5.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件导通电阻测试电路，其特征在于，所述耗尽型NMOS管漏、源两端的耐压值不小于所述氮化镓功率器件在关断时其漏端电压的1.2倍。