[发明专利]一种用于制造半导体的化学品供应系统及其净化方法

说明书

本发明公开了一种用于制造半导体的化学品供应系统，包括完全相同的至少两套供应设备以及和每套供应设备化学药品罐的出液口连接的沉积腔，每套供应设备包括一个用于储存需要进行沉积的化学药品的化学药品罐，化学药品罐的进气口和出液口间有第一桥接管，并在第一桥接管上设置第一三通阀，三通阀的第三个接口连接另一个化学药品罐第一桥接管处第一三通阀的对应接口，化学药品罐的进气口通过管路连接增压器，化学药品罐到增压器的管路上到化学药品罐到沉积腔的管路上设有第二桥接管，第二桥接管上的第二三通阀的第三个接口和另一个化学药品罐第二桥接管处第二三通阀的对应接口连接。本发明还公开了此种净化系统的净化方法。

技术领域

本发明涉及一种化学品供应系统，特别是一种用于制造半导体的化学品供应系统及其净化方法。

背景技术

外延工程(epitaxy)是制造半导体、LED、Solar Cell等工程中的一种，是为了在单晶硅上放置各种半导体相关材料而采用的一种薄膜覆盖硅表面的上涂层工艺。是固定各个材料在特定位置的基础性工程。一般的外延层可以是同质外延层，也可以是异质外延。但是氧化膜、氮化膜等被绝缘膜盖住就不会有外延生长。

使用特殊气体化学沉积涂层物质的工程叫CVD(Chemical Vapor Deposition)。

具体的说，外延工程可分为在低压环境中与特殊气体产生化学反应沉积的LPCVD(Low Pressure CVD)，在一般大气压环境中沉积的APCVD(Atmospheric Pressure CVD)，在高压环境中沉积的HPCVD(High Pressure CVD)，用高电压产生等离子沉积的PECVD(PlasmaEnhanced CVD)，沉积镓、磷、铝等有机金属物的MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)等。

此工程使用TEOS、TiCL4、TMA、LTO520、TEMAZr、TEMAHf、HBO、4MS、3MS、TEB、TEPO等化学药品(特殊药液)。载气(carrier gas)使用高纯度的氩气(Ar)、氦气(He)、氢气(H2)、氮气(N2)等。

跟氩气一样的载气，在泵的作用下给需要沉积的化学药品推进力，使其可以流动。

化学药品在沉积腔内部使用于半导体电路模式的沉积。

为了正常的形成半导体电路模式，供应到沉积腔的化学药品是绝对不能中断。虽然化学药品罐内还剩余一定量的化学药品，但是考虑到切换成第二个供应线所需要的时间，在花絮药品罐内的花絮药品用尽之前，需要切换供应线。因未用尽化学药品罐内的化学药品，所以会造成制造半导体的成本提高的问题。

在此基础上，药品在管路中输送时，或多或少都会在管路中产生附着，如果前后工艺及原料不一样，就会导致对后一个工艺的污染，所以管路需要保持清洁，而现有的技术方案是待工艺完全结束后，进行人工清洗，费事费力，且由于半导体材料一般存在一定的腐蚀和毒性，故会对工人的身体造成威胁。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于解决现有的半导体供应系统管路清洗方式不合理，且费时费力的问题。

技术方案：为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：