[发明专利]触控显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202011286992.0 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112394836A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 彭斯敏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种触控显示面板,包括衬底、触控层、发光器件层和封装层,其特征在于,所述触控层和所述发光器件层设于所述衬底上,所述封装层设于所述触控层和所述发光器件层上,所述触控层包括若干触控电极,所述发光器件层包括若干发光单元,所述触控电极设于所述发光单元的发光区的侧面。
2.如权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板还包括第一像素定义层和第二像素定义层,所述第一像素定义层设于所述衬底上,若干所述触控电极设于所述第一像素定义层上,所述第二像素定义层设于若干所述触控电极和所述第一像素定义层上,若干所述发光单元设于所述第一像素定义层和所述第二像素定义层中。
3.如权利要求2所述的触控显示面板,其特征在于,若干所述触控电极划分为若干第一电极和若干第二电极,若干所述第一电极呈矩阵排布形成若干平行的第一电极组,若干所述第二电极呈矩阵排布形成若干平行的第二电极组,所述第一电极组与所述第二电极组垂直交叉且绝缘设置以形成若干触控单元;每一所述第一电极组中的任意两个相邻的所述第一电极通过一段连接线电性连接,所述连接线设于所述第一像素定义层上且与所述触控电极同层设置;每一所述第二电极组中的任意两个相邻的所述第二电极通过一段桥接线电性连接,所述桥接线设于所述第二像素定义层上且通过过孔桥接所述第二电极。
4.如权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述发光器件层包括阳极层、发光层和阴极层,所述阳极层设于所述衬底上,所述第一像素定义层设于所述阳极层和所述衬底上,所述第二像素定义层设于所述第一像素定义层上,所述发光层包括若干所述发光单元,所述发光单元设于所述阳极层上且位于所述第一像素定义层和第二像素定义层中,所述阴极层设于所述第二像素定义层上,且与所述发光层连接。
5.如权利要求4所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板还包括薄膜晶体管层和平坦层,所述薄膜晶体管层设于所述衬底上,所述平坦层设于所述薄膜晶体管层上,所述阳极层设于所述平坦层上且通过过孔与所述薄膜晶体管层中的漏极连接,所述第一像素定义层设于所述阳极层和所述平坦层上。
6.如权利要求4所述的触控显示面板,其特征在于,所述阴极层与所述桥接线同层设置且材料相同。
7.如权利要求2所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一像素定义层的厚度的取值范围为0.5-1μm,所述第二像素定义层的厚度的取值范围为0.1-0.5μm。
8.一种触控显示面板的制作方法,其特征在于,所述触控显示面板的制作方法包括以下步骤:
提供衬底;
制备触控层和发光器件层,所述触控层包括若干触控电极,所述发光器件层包括若干发光单元,所述触控电极设于所述发光单元的发光区的侧面;
制备封装层,所述封装层覆盖所述触控层和所述发光器件层。
9.如权利要求8所述的触控显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤“制备触控层和发光器件层”包括:
制备阳极层;
制备第一像素定义层,所述第一像素定义层开设有过孔以暴露所述阳极层;
在所述第一像素定义层上制备所述触控电极;
在所述第一像素定义层上制备第二像素定义层,所述第二像素定义层开设有过孔以暴露部分所述触控电极;
在所述阳极层上制备发光层,所述发光层包括若干所述发光单元;
在所述第二像素定义层、暴露的部分所述触控电极和所述发光层上制备金属层;
切断所述金属层形成阴极层和若干桥接线,每一所述桥接线通过所述第二像素定义层的过孔桥接两个相邻的所述触控电极,所述阴极层与所述发光层连接。
10.如权利要求9所述的触控显示面板的制作方法,其特征在于,在所述步骤“制备阳极层”之前,所述触控显示面板的制作方法还包括:
在所述衬底上制备薄膜晶体管层;
在所述薄膜晶体管层上制备平坦层,所述平坦层开设有过孔以暴露所述薄膜晶体管层中的漏极,所述阳极层设于所述平坦层上且通过所述平坦层的过孔与所述漏极连接,所述第一像素定义层设于所述阳极层和所述平坦层上。
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