[发明专利]空气桥制作方法、空气桥及电子设备

权利要求书

1.一种空气桥制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上涂覆第一层光刻胶；

在所述第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；

对所述第二层光刻胶进行曝光处理、显影处理及定影处理，以在所述第二层光刻胶上形成沉积桥撑的图形化结构；

透过所述图形化结构刻蚀掉指定区域内的第一层光刻胶，以在所述衬底上形成阻挡沉积材料向周边扩散的结构，所述指定区域包含所述图形化结构的顶部开口在所述第一层光刻胶上形成的投影区域，所述阻挡沉积材料向周边扩散的结构突出于所述图形化结构的底部；

在刻蚀掉所述指定区域内的第一层光刻胶后露出的衬底表面沉积桥撑结构，并基于所述桥撑结构形成空气桥。

2.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于，在所述衬底上涂覆第一层光刻胶之后，对所述第一层光刻胶进行第一烘烤；

在所述第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶之后，对所述第二层光刻胶进行第二烘烤，所述第二烘烤的温度小于或等于所述第一烘烤的温度。

3.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于，基于所述桥撑结构形成空气桥，包括：

在沉积所述桥撑结构之后，去除所述衬底上的第二层光刻胶和所述第一层光刻胶；

在去除所述衬底上的第二层光刻胶和所述第一层光刻胶之后，在形成有所述桥撑结构的衬底表面进行套刻及金属蒸镀处理，以形成所述空气桥。

4.根据权利要求3所述的空气桥制作方法，其特征在于，去除所述衬底上的第二层光刻胶和所述第一层光刻胶，包括：

将形成有所述桥撑结构、所述第一层光刻胶和所述第二层光刻胶的衬底置于去胶剥离液中，以去除所述第二层光刻胶和所述第一层光刻胶。

5.根据权利要求4所述的空气桥制作方法，其特征在于，若所述第一层光刻胶的去胶剥离液与所述第二层光刻胶的去胶剥离液不同，则先将形成有所述桥撑结构、所述第一层光刻胶和所述第二层光刻胶的衬底置于所述第二层光刻胶的去胶剥离液中；

在去除所述第二层光刻胶之后，将形成有所述桥撑结构和所述第一层光刻胶的衬底置于所述第一层光刻胶的去胶剥离液中。

6.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于，所述曝光处理包括紫外线曝光或激光直写。

7.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于，所述第一层光刻胶的厚度与所要沉积的桥撑结构的高度满足以下条件：

其中，表示所述第一层光刻胶的厚度；表示所要沉积的桥撑结构的高度。

8.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于，透过所述图形化结构对所述第一层光刻胶的刻蚀时长与需要在所述衬底表面沉积得到的桥撑结构的桥撑角度大小成反相关关系。

9.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于，所述图形化结构的底部宽度大于所述图形化结构的顶部开口宽度，其中，所述图形化结构的底部与所述第一层光刻胶相接触。

10.根据权利要求9所述的空气桥制作方法，其特征在于，所述图形化结构的剖面为正梯形。

11.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于，对所述第二层光刻胶进行显影处理所使用的显影液与所述第一层光刻胶之间不发生物理反应及化学反应。

12.一种空气桥，其特征在于，所述空气桥由权利要求1至11中任意一项所述的空气桥制作方法制备而成。

13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括由权利要求1至11中任意一项所述的空气桥制作方法制备而成的空气桥。