[发明专利]空气桥制作方法、空气桥及电子设备

说明书

本申请的实施例提供了一种空气桥制作方法、空气桥及电子设备。该空气桥制作方法包括：在衬底上涂覆第一层光刻胶；在所述第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；对所述第二层光刻胶进行曝光处理、显影处理及定影处理，以在所述第二层光刻胶上形成沉积桥撑的图形化结构；透过所述图形化结构刻蚀掉指定区域内的第一层光刻胶，以在所述衬底上形成阻挡沉积材料向周边扩散的结构，所述指定区域包含所述图形化结构的顶部开口在所述第一层光刻胶上形成的投影区域；在刻蚀掉所述指定区域内的第一层光刻胶后露出的衬底表面沉积桥撑结构，并基于所述桥撑结构形成空气桥。本申请实施例的技术方案可以实现对空气桥桥撑角度的有效控制及调整。

技术领域

本申请涉及半导体、超导、量子及微纳加工技术领域，具体而言，涉及一种空气桥制作方法、空气桥及电子设备。

背景技术

在高频及超高频器件中，需要降低金属电极引线的寄生电容以提高器件的灵敏度。由于空气的介电常数值接近1，利用空气桥方法实现金属电极引线能极大地降低寄生电容，避免使用沉积价格昂贵的低介电常数介质薄膜材料的工艺流程；同时空气桥结构为电极引线提供低热阻连接和散热通道。

具体而言，空气桥是一种电路结构，它是以三维桥形结构实现平面电路跨接的一种方式。由于桥与电路之间的介质为空气（或者真空），所以称之为空气桥（或者真空桥），一般也会简称为空桥。其中，空气桥的桥撑角度决定了空气桥的稳定性，然而相关技术中并没有提出有效的调整空气桥的桥撑角度的方案。

发明内容

本申请的实施例提供了一种空气桥制作方法、空气桥及电子设备，进而至少在一定程度上可以实现对空气桥桥撑角度的有效控制及调整。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种空气桥制作方法，包括：在衬底上涂覆第一层光刻胶；在所述第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶；对所述第二层光刻胶进行曝光处理、显影处理及定影处理，以在所述第二层光刻胶上形成沉积桥撑的图形化结构；透过所述图形化结构刻蚀掉指定区域内的第一层光刻胶，以在所述衬底上形成阻挡沉积材料向周边扩散的结构，所述指定区域包含所述图形化结构的顶部开口在所述第一层光刻胶上形成的投影区域；在刻蚀掉所述指定区域内的第一层光刻胶后露出的衬底表面沉积桥撑结构，并基于所述桥撑结构形成空气桥。

在本申请的一些实施例中，基于前述方案，在所述衬底上涂覆第一层光刻胶之后，对所述第一层光刻胶进行第一烘烤；在所述第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶之后，对所述第二层光刻胶进行第二烘烤，所述第二烘烤的温度小于或等于所述第一烘烤的温度。

在本申请的一些实施例中，基于前述方案，基于所述桥撑结构形成空气桥，包括：在沉积所述桥撑结构之后，去除所述衬底上的第二层光刻胶和所述第一层光刻胶；在去除所述衬底上的第二层光刻胶和所述第一层光刻胶之后，在形成有所述桥撑结构的衬底表面进行套刻及金属蒸镀处理，以形成所述空气桥。

在本申请的一些实施例中，基于前述方案，去除所述衬底上的第二层光刻胶和所述第一层光刻胶，包括：将形成有所述桥撑结构、所述第一层光刻胶和所述第二层光刻胶的衬底置于去胶剥离液中，以去除所述第二层光刻胶和所述第一层光刻胶。

在本申请的一些实施例中，基于前述方案，若所述第一层光刻胶的去胶剥离液与所述第二层光刻胶的去胶剥离液不同，则先将形成有所述桥撑结构、所述第一层光刻胶和所述第二层光刻胶的衬底置于所述第二层光刻胶的去胶剥离液中；在去除所述第二层光刻胶之后，将形成有所述桥撑结构和所述第一层光刻胶的衬底置于所述第一层光刻胶的去胶剥离液中。

在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述曝光处理包括紫外线曝光或激光直写。

在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述第一层光刻胶的厚度与所要沉积的桥撑结构的高度满足以下条件：