[发明专利]一种横向PNP晶体管抗饱和结构及其应用在审
| 申请号： | 202011290880.2 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112397572A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 师娅;刘智 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/73;H01L29/735;H01L27/082 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 pnp 晶体管 饱和 结构 及其 应用 | ||
1.一种横向PNP晶体管抗饱和结构，其特征在于，包括P型单晶片，所述P型单晶片上形成有通过P型隔离墙围成的N型外延岛，所述N型外延岛的N-外延层上设置有第一P+扩散区、第二P+扩散区、第三P+扩散区和N+扩散区，所述第一P+扩散区呈圆形，所述第二P+扩散区呈圆环形，所述第二P+扩散区沿所述第一P+扩散区圆周的周向设置，且所述第二P+扩散区与所述第一P+扩散区之间设置有间距；所述第三P+扩散区沿所述第二P+扩散区圆环外圆周的周向设置，且所述第三P+扩散区与所述第二P+扩散区之间设置有间距；所述N+扩散区设置在所述第三P+扩散区与所述P型隔离墙之间；
所述第一P+扩散区、所述第二P+扩散区和所述N+扩散区形成第一横向PNP晶体管QP1，且所述第一P+扩散区和所述第二P+扩散区分别为所述第一横向PNP晶体管QP1的发射区和集电区；
所述第二P+扩散区、所述第三P+扩散区和所述N+扩散区形成第二横向PNP晶体管QP2，且所述第二P+扩散区和所述第三P+扩散区分别为所述第二横向PNP晶体管QP2的发射区和集电区；
所述第一P+扩散区、所述第三P+扩散区和所述N+扩散区形成第三横向PNP晶体管QP3，且所述第一P+扩散区和所述第三P+扩散区分别为所述第三横向PNP晶体管QP3的发射区和集电区。
2.根据权利要求1所述的一种横向PNP晶体管抗饱和结构，其特征在于，所述第一P+扩散区、所述第二P+扩散区和所述第三P+扩散区的扩散深度相同。
3.根据权利要求1所述的一种横向PNP晶体管抗饱和结构，其特征在于，所述第二P+扩散区与所述第一P+扩散区之间的间距和所述第三P+扩散区与所述第二P+扩散区之间的间距相等。
4.根据权利要求1所述的一种横向PNP晶体管抗饱和结构，其特征在于，所述P型隔离墙为P-隔离墙。
5.如权利要求1～4任一项所述的一种横向PNP晶体管抗饱和结构的应用。
6.如权利要求1～4任一项所述的一种横向PNP晶体管抗饱和结构在单片双极模拟集成电路中的应用。
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