[发明专利]晶体管器件及其形成方法、集成芯片在审
| 申请号： | 202011291682.8 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113314602A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 奥雷利安·高迪尔·布伦;蔡俊琳;余俊磊;陈柏智;王云翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336;H01L27/085;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 及其 形成 方法 集成 芯片 | ||
1.一种晶体管器件，包括：
源极接触件，设置在衬底上方，所述源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间的第一侧和相对的第二侧；
漏极接触件，设置在所述衬底上方并且沿着第一方向与所述源极接触件分隔开；以及
栅极结构，设置在所述源极接触件和所述漏极接触件之间的所述衬底上方，其中，所述栅极结构沿着所述源极接触件的面向所述漏极接触件的所述第一侧延伸，并且还包裹所述源极接触件的所述第一端部和所述相对的第二端部。
2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述栅极结构沿着所述第一方向延伸超过所述源极接触件的所述第一侧和所述相对的第二侧，并且沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸超过所述源极接触件的所述第一端部和所述相对的第二端部。
3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述栅极结构以闭合且不间断的路径在所述源极接触件周围连续地延伸。
4.根据权利要求1所述的晶体管器件，还包括：
隔离区域，设置在所述衬底内并且限定有源区，其中，所述源极接触件、所述漏极接触件、所述栅极结构设置在所述有源区正上方。
5.根据权利要求4所述的晶体管器件，其中，所述栅极结构沿着垂直于所述第一方向的第二方向具有比所述有源区大的长度。
6.根据权利要求4所述的晶体管器件，
其中，所述有源区具有第一宽度和大于所述第一宽度的第二宽度，所述第一宽度和所述第二宽度沿着垂直于所述第一方向的第二方向测量；并且
所述有源区在所述栅极结构正下方具有所述第二宽度。
7.根据权利要求6所述的晶体管器件，其中，所述有源区在所述栅极结构和所述漏极接触件之间具有所述第一宽度。
8.根据权利要求4所述的晶体管器件，其中，所述有源区包括从所述有源区的边缘向外延伸的有源区突起，所述栅极结构设置在所述有源区突起正上方。
9.一种集成芯片，包括：
衬底，具有有源层和位于所述有源层上方的阻挡层；
源极接触件，设置在所述有源层上方；
漏极接触件，设置在所述有源层上方；以及
栅极结构，设置在所述源极接触件和所述漏极接触件之间的所述阻挡层上方，其中，所述栅极结构沿着包围所述源极接触件的连续且不间断的路径包裹所述源极接触件。
10.一种形成晶体管器件的方法，包括：
在衬底上方形成源极接触件；
在所述衬底上方形成漏极接触件；
在所述衬底上方形成栅极接触材料；以及
图案化所述栅极接触材料以限定栅极结构，所述栅极结构沿着连续且不间断的路径包裹所述源极接触件。
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