[发明专利]晶体管器件及其形成方法、集成芯片

说明书

在一些实施例中，本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的源极接触件。源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间第一侧和相对的第二侧。漏极接触件设置在衬底上方，并且沿着第一方向与源极接触件分隔开。栅极结构设置在源极接触件和漏极接触件之间的衬底上方。栅极结构沿着源极接触件的面向漏极接触件的第一侧延伸，并且还包裹源极接触件的第一端部和相对的第二端部。本发明的实施例还涉及晶体管器件的形成方法、集成芯片。

技术领域

本发明的实施例涉及晶体管器件及其形成方法、集成芯片。

背景技术

现代集成芯片包括形成在半导体衬底(例如，硅)上的数百万或数十亿个晶体管器件。取决于IC的应用，集成芯片(IC)可以使用许多不同类型的晶体管器件。近年来，蜂窝和RF(射频)器件的市场的增长导致高压晶体管器件的使用显著增加。例如，高压晶体管器件由于其处理高击穿电压(例如，大于约50V)和高频的能力而经常用于功率放大器中以用于RF传输/接收链。高压器件还用于电源管理集成电路、汽车电子、传感器接口、平板显示驱动器应用等。

发明内容

本发明的实施例提供了一种晶体管器件，包括：源极接触件，设置在衬底上方，所述源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间的第一侧和相对的第二侧；漏极接触件，设置在所述衬底上方并且沿着第一方向与所述源极接触件分隔开；以及栅极结构，设置在所述源极接触件和所述漏极接触件之间的所述衬底上方，其中，所述栅极结构沿着所述源极接触件的面向所述漏极接触件的所述第一侧延伸，并且还包裹所述源极接触件的所述第一端部和所述相对的第二端部。

本发明的另一实施例提供了一种集成芯片，包括：衬底，具有有源层和位于所述有源层上方的阻挡层；源极接触件，设置在所述有源层上方；漏极接触件，设置在所述有源层上方；以及栅极结构，设置在所述源极接触件和所述漏极接触件之间的所述阻挡层上方，其中，所述栅极结构沿着包围所述源极接触件的连续且不间断的路径包裹所述源极接触件。

本发明的又一实施例提供了一种形成晶体管器件的方法，包括：在衬底上方形成源极接触件；在所述衬底上方形成漏极接触件；在所述衬底上方形成栅极接触材料；以及图案化所述栅极接触材料以限定栅极结构，所述栅极结构沿着连续且不间断的路径包裹所述源极接触件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的示出和讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了具有晶体管器件的集成芯片的一些实施例的顶视图，该晶体管器件包括配置为抑制源极接触件和漏极接触件之间的泄漏电流的栅极结构。

图2A至图2B示出了具有晶体管器件的集成芯片的一些附加实施例，该晶体管器件包括配置为抑制源极接触件和漏极接触件之间的泄漏电流的栅极结构。

图3示出了具有晶体管器件的集成芯片的一些实施例的顶视图，该晶体管器件包括位于有源区上面的所公开的栅极结构。

图4A至图4B示出了具有晶体管器件的集成芯片的一些实施例的顶视图，该晶体管器件包括位于具有多个宽度的有源区上面的所公开的栅极结构。

图5至图6示出了具有晶体管器件的集成芯片的一些附加实施例，该晶体管器件包括配置为抑制源极接触件和漏极接触件之间的泄漏电流的多个栅极结构。

图7A至图7B示出了具有晶体管器件的集成芯片的一些可选实施例的顶视图，该晶体管器件包括具有不同形状的多个栅极结构。

图8示出了对于所公开的晶体管器件，源极电流作为漏极电压的函数的一些实施例的曲线图。

图9示出了对于所公开的晶体管器件，漏极电流作为栅极电压的函数的一些实施例的曲线图。