[发明专利]浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法包括：

提供半导体硅衬底，刻蚀所述半导体硅衬底形成浅沟槽结构；

在所述浅沟槽结构的内壁上形成第一氧化层；

在所述浅沟槽结构的第一氧化层表面上生长形成氮化硅层；

向生长形成有氮化硅层的浅沟槽隔离结构中，填充隔离介质层；

去除位于所述浅沟槽结构顶角周侧的氮化硅层，使得剩余氮化硅层的顶端与所述半导体硅衬底上表面之间形成高度差，使得所述浅沟槽结构顶角周侧与所述隔离介质层之间形成凹槽；

去除位于所述凹槽中的第一氧化层，使得位于所述凹槽中的半导体硅衬底表面外露；

通过湿氧氧化工艺，使得外露于所述凹槽中的所述半导体硅衬底与氧气反应，使得所述浅沟槽结构顶角位置处的半导体硅衬底圆化。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法，其特征在于，所述去除位于所述浅沟槽结构顶角周侧的氮化硅层，使得剩余氮化硅层的顶端与所述半导体硅衬底上表面之间形成高度差，所述浅沟槽结构顶角周侧与所述隔离介质层之间形成凹槽；的步骤，包括：

通过第一湿法刻蚀剂，刻蚀去除贴附在所述隔离介质层顶角周侧的氮化硅层，使得剩余氮化硅层的顶端与所述半导体硅衬底上表面之间形成高度差，所述隔离介质层的顶角周侧形成凹槽。

3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀剂包括热磷酸。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法，其特征在于，所述去除位于所述凹槽中的第一氧化层，使得位于所述凹槽中的半导体硅衬底表面外露的步骤，包括：

采用第二湿法刻蚀剂，刻蚀位于所述凹槽中的第一氧化层，使得位于所述凹槽中的半导体硅衬底表面外露。

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀剂包括氢氟酸。

6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法，其特征在于，采用包含氢氟酸的所述第二湿法刻蚀剂，刻蚀位于所述凹槽中的第一氧化层时，位于半导体硅衬底表面的第一氧化层也被刻蚀去除。

7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法，其特征在于，通过湿氧氧化工艺，使得外露于凹槽中的所述半导体硅衬底与氧气反应，使得所述浅沟槽结构顶角位置处的半导体硅衬底圆化的步骤中，所述湿法氧化工艺包括：

采用湿氧氧化工艺，使得外露于凹槽中的所述半导体硅衬底与氧气反应，从而消耗掉所述半导体硅衬底的部分硅形成第二氧化层；在所述浅沟槽结构顶角位置处的半导体硅衬底，在氧化反应的作用下圆化形成圆滑的顶角。