[发明专利]高速电平移位器有效

专利信息
申请号: 202011293043.5 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN113223575B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: D·B·彭妮 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C11/4074;H03K19/018
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高速 电平 移位
【权利要求书】:

1.一种电压电平移位器,其包括:

输入,其经配置以接收数据信号;

第一节点,其经配置以提供所述电压电平移位器的输出;

第一晶体管,其经耦合到所述第一节点且经配置以基于所述数据信号来将所述第一节点选择性地耦合到第一电压电平;

第二晶体管,其经耦合到所述第一节点;

第三晶体管,其经耦合到所述第二晶体管及第二电压电平,其中所述第三晶体管经配置以在比所述数据信号的脉冲的持续时间短的周期内在所述第二晶体管与所述第二电压电平之间提供第一相对强的连接;及

第四晶体管,其与所述第三晶体管并联地耦合到所述第二晶体管及所述第二电压电平,其中所述第四晶体管经配置以由于所述第四晶体管小于所述第一晶体管而在所述第二晶体管与所述第二电压电平之间提供相对弱的连接,从而在所述第四晶体管及所述第一晶体管均被激活时使所述第一晶体管能够压制所述相对弱的连接且将所述第一节点移动到所述第一电压电平。

2.根据权利要求1所述的电压电平移位器,其中所述第一晶体管是n沟道晶体管。

3.根据权利要求1所述的电压电平移位器,其中所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管是p沟道晶体管。

4.根据权利要求1所述的电压电平移位器,其进一步包括:

第一延迟器,其经耦合到所述第一节点及所述第三晶体管的栅极,其中所述第一延迟器经配置以引起所述第三晶体管在所述周期之后选择性地解耦所述第二晶体管与所述第二电压电平之间的所述第一相对强的连接。

5.根据权利要求1所述的电压电平移位器,其进一步包括:

第一反相器,其经配置以使所述输入反相,以生成反向数据信号;

第五晶体管,其经耦合到第二节点且经配置以基于所述反向数据信号来将所述第二节点选择性地耦合到所述第一电压电平;

第六晶体管,其经耦合到所述第二节点;

第七晶体管,其经耦合到所述第六晶体管及所述第二电压电平,其中所述第七晶体管经配置以在具有比所述反向数据信号的脉冲的持续时间短的持续时间的第二周期内在所述第六晶体管与所述第二电压电平之间提供第二相对强的连接;及

第八晶体管,其与所述第七晶体管并联地耦合到所述第六晶体管及所述第二电压电平,其中所述第八晶体管经配置以由于所述第八晶体管小于所述第五晶体管而在所述第六晶体管与所述第二电压电平之间提供第二相对弱的连接,从而在所述第八晶体管及所述第五晶体管均被激活时使所述第五晶体管能够压制所述第二相对弱的连接且将所述第二节点移动到所述第一电压电平。

6.根据权利要求5所述的电压电平移位器,其进一步包括:

第二延迟器,其经耦合到所述第二节点及所述第七晶体管的栅极,其中所述第二延迟器经配置以引起所述第七晶体管在所述第二周期之后选择性地解耦所述第六晶体管与所述第二电压电平之间的所述第二相对强的连接。

7.根据权利要求6所述的电压电平移位器,其中所述第一节点经耦合到所述第六晶体管的栅极且所述第二节点经耦合到所述第二晶体管的栅极。

8.一种存储器装置,其包括:

多个存储器存储体;

命令接口,其包括多个电路且经配置以接收多个信号,其中所述多个信号引起所述存储器装置对所述多个存储器存储体执行操作;及

电压电平移位器,其经耦合到所述命令接口,其中所述电压电平移位器包括并联电平移位器,每一并联电平移位器包括:

输入,其经配置以接收所述多个信号中的数据信号;

节点,其经配置以提供所述电压电平移位器的输出;

第一晶体管,其经耦合到所述节点且经配置以基于所述数据信号来将所述节点选择性地耦合到第一电压电平;

第二晶体管,其经耦合到所述节点且经配置以将所述节点耦合到第二电压电平;及

第三晶体管,其经耦合到所述节点且经配置以将所述节点耦合到所述第二电压电平,其中与所述节点和所述第二电压电平之间经由所述第二晶体管的相对强的连接相比,所述第三晶体管在所述节点与所述第二电压电平之间提供相对弱的连接。

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