[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

堆叠层，设置于所述衬底上方且由绝缘层和栅极层交替层叠而成，所述堆叠层沿平行于所述衬底的第一横向区分有过渡沟道柱区、以及位于所述过渡沟道柱区旁边的虚拟沟道柱区；

过渡沟道柱阵列，形成于所述堆叠层中且位于所述过渡沟道柱区，并包括在所述第一横向与在平行于所述衬底且垂直于所述第一横向的第二横向上呈阵列排列的多个过渡沟道柱；

虚拟沟道柱阵列，形成于所述堆叠层中且位于所述虚拟沟道柱区，并包括在所述第一横向与所述第二横向上呈阵列排列的多个虚拟沟道柱；

栅极隔槽，形成于所述堆叠层中并沿所述第二横向延伸，且设置于所述过渡沟道柱阵列与所述虚拟沟道柱阵列之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述虚拟沟道柱设置于所述堆叠层所形成的阶梯区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极隔槽包括多个且沿所述第一横向间隔排布，并由所述过渡沟道柱阵列向所述虚拟沟道柱阵列的方向上的排布密度逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极隔槽包括多个且沿所述第二横向间隔排布而呈虚线形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括栅线狭缝，所述栅线狭缝沿垂直于所述衬底的纵向贯穿所述堆叠层，且沿所述第一横向延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极隔槽与所述栅线狭缝的材料相同。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极隔槽在所述第一横向上的截面形状包括矩形、梯形、半圆形其中至少之一，且所述栅极隔槽面向所述虚拟沟道柱阵列的一侧为一平面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述过渡沟道柱阵列中的所述过渡沟道柱的排布密度沿所述第一横向向所述虚拟沟道柱区逐渐减小。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述过渡沟道柱具有关键尺寸，所述关键尺寸为所述过渡沟道柱的中心到所述过渡沟道柱的边缘的距离，所述多个过渡沟道柱的所述关键尺寸沿所述第一横向向所述虚拟沟道柱区逐渐增大。

10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底；

提供堆叠层，所述堆叠层设置于所述衬底上方且由绝缘层和栅极层交替层叠而成，所述堆叠层沿平行于所述衬底的第一横向区分有过渡沟道柱区、以及位于所述过渡沟道柱区旁边的虚拟沟道柱区；

提供过渡沟道柱阵列，所述过渡沟道柱阵列形成于所述堆叠层中且位于所述过渡沟道柱区，并包括在所述第一横向与在平行于所述衬底且垂直于所述第一横向的第二横向上呈阵列排列的多个过渡沟道柱；

提供虚拟沟道柱阵列，所述虚拟沟道柱阵列形成于所述堆叠层中且位于所述虚拟沟道柱区，并包括在所述第一横向与所述第二横向上呈阵列排列的多个虚拟沟道柱；

提供栅极隔槽，所述栅极隔槽形成于所述堆叠层中并沿所述第二横向延伸，且设置于所述过渡沟道柱阵列与所述虚拟沟道柱阵列之间。