[发明专利]弱点缺陷检测方法

说明书

本发明涉及弱点缺陷检测方法，包括对晶圆缺陷扫描获得缺陷数据分布图；同时获得最小光学对比图，进行最小光学对比图与原始设计版图匹配，得到原始设计版图中对应于缺陷数据分布图中的缺陷的缺陷数据，将相同的原始设计版图缺陷数据归类为一个缺陷类型，得到N个缺陷类型，并得到每个缺陷类型的缺陷个数；对N个缺陷类型按缺陷个数进行排序，根据排序筛选出缺陷个数最多的M个缺陷类型；对筛选出的M个缺陷类型进行原始设计版图搜索，检测出M个缺陷类型中每个缺陷类型的所有缺陷的缺陷位置，生成每个缺陷类型的所有的缺陷位置的扫描区域；观测生成的每个缺陷类型的所有的缺陷位置的扫描区域扫描出的缺陷，确定真实的缺陷类型。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种弱点缺陷检测方法。

背景技术

在半导体集成电路制造过程中，电路的图形结构首先定义在原始设计版图(GDS)上，之后通过光刻将原始设计版图上的图形结构即设计图形转移到形成于晶圆表面的光刻胶上并形成光刻胶图形。在芯片设计开发过程中由于设计规则和实际光刻曝光生产过程中有差距，导致很多弱点图形的产生，这些弱点图形在设计时是符合设计规则的，但是在曝光过程中，由于工艺过程控制有波动，这些弱点图形在波动较大的情况下会导致图形失效，从而导致工艺窗口很小，无法满足量产需求。

现有的弱点图形的检测方式是设计不同曝光条件，这些曝光条件以生产条件为基准，依次在正负方向扩大工艺窗口，在曝光作业时，每次使用不同的曝光条件，最终形成一片不同曝光条件的晶圆，在检测时，不同曝光条件的芯片与基准芯片进行对比，最终通过归纳和观测，人为来判断弱点位置。主要包括聚焦与曝光量矩阵(FEM)和工艺窗口认证(PWQ)两种方法。

发明内容

本发明在于提供一种弱点缺陷检测方法，包括：S1：对正常工艺作业下的晶圆进行缺陷扫描，获得缺陷数据分布图；S2：提供原始设计版图，在步骤S1中缺陷扫描的同时获得最小光学对比图，并进行最小光学对比图与原始设计版图匹配，从而得到原始设计版图中对应于缺陷数据分布图中的缺陷的缺陷数据，并将相同的原始设计版图缺陷数据归类为一个缺陷类型，从而得到N个缺陷类型，并得到每个缺陷类型的缺陷个数，其中N为大于等于1的自然数；S3：对步骤S2中的N个缺陷类型按缺陷个数进行排序，根据排序筛选出缺陷个数最多的M个缺陷类型，其中M为小于N的自然数；S4：对筛选出的M个缺陷类型进行原始设计版图搜索，检测出M个缺陷类型中每个缺陷类型的所有缺陷的缺陷位置，并生成每个缺陷类型的所有的缺陷位置的扫描区域；以及S5：观测针对S4中生成的每个缺陷类型的所有的缺陷位置的扫描区域扫描出的缺陷，确定真实的缺陷类型。

更进一步的，S1中采用扫描机台通过Die与Die之间的对比来抓取缺陷及缺陷个数，从而获得缺陷数据分布图。

更进一步的，S2中将最小光学对比图与原始设计版图的设计数据进行匹配，从而得到原始设计版图与缺陷数据分布图中缺陷对应的原始设计版图设计数据，根据缺陷数据分布图中缺陷对应的原始设计版图设计数据将缺陷分为N个类型，并可同时得到每个缺陷类型的缺陷个数。

更进一步的，最小光学对比图为采用扫描机台通过Die与Die之间的对比来抓取缺陷时的最小对比图。

更进一步的，最小光学对比图为扫描机台的最小比对窗口。

更进一步的，最小光学对比图对应缺陷数据分布图中一个缺陷点。

更进一步的，N等于8。

更进一步的，S3中根据排序筛选出缺陷个数最多的2个缺陷类型。

更进一步的，步骤S4中对筛选出的M个缺陷类型进行原始设计版图搜索，检测出的M个缺陷类型中每个缺陷类型的所有缺陷的个数大于步骤S2中得到的对应的缺陷类型的缺陷个数。

更进一步的，步骤S5中仅扫描S4中生成的每个缺陷类型的所有的缺陷位置的扫描区域。

附图说明