[发明专利]防暗流CIS浅沟槽隔离结构及其制作方法

权利要求书

1.一种防暗电流CIS浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述防暗电流CIS浅沟槽隔离结构包括：

浅沟槽结构，所述浅沟槽结构由半导体衬底层的上表面向下延伸，将CIS器件相邻两个像素单元隔离开；

氧化膜，所述氧化膜覆盖在所述浅沟槽结构的内壁上；

负电荷吸附膜，所述负电荷吸附膜覆盖在所述氧化膜上，用于吸附阻挡像素单元中漂移的负电荷；

隔离介质层；在所述浅沟槽结构中，覆盖在所述氧化膜上的负电荷吸附膜包围形成容置空间，所述隔离介质层填充在所述容置空间中。

2.如权利要求1所述的防暗电流CIS浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述氧化膜通过原位水蒸气工艺制作形成。

3.如权利要求1所述的防暗电流CIS浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述负电荷吸附膜的材质包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的防暗电流CIS浅沟槽隔离结构，其特征在于，位于所述浅沟槽结构顶角位置处的负电荷吸附膜形成凹陷，所述凹陷中填充有热氧化层。

5.一种防暗电流CIS浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述防暗电流CIS浅沟槽隔离结构的制作方法包括：

提供基底，所述基底包括半导体衬底层；在所述半导体衬底层上，由下至上依次设有二氧化硅层和氮化硅层；

从所述基底的上表面向下刻蚀，在所述半导体衬底层中形成浅沟槽结构；

通过氧化工艺，在所述基底的上表面和所述浅沟槽结构的内壁上形成氧化膜；

在所述氧化膜上沉积形成负电荷吸附膜；在所述浅沟槽结构中，覆盖在所述氧化膜上的负电荷吸附膜包围形成容置空间；

向所述容置空间中填充隔离介质层；

通过化学机械研磨，去除覆盖在所述基底上表面的隔离介质层；

去除覆盖在所述基底上表面的负电荷吸附膜；

依次去除覆盖在所述基底上表面的氧化膜和氮化硅层。

6.如权利要求5所述的防暗电流CIS浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在所述去除覆盖在所述基底上表面的氧化膜和氮化硅层的步骤后还进行：

沉积热氧化层，使得所述热氧化层覆盖在所述浅沟槽隔离结构的表面。

7.如权利要求6所述的防暗电流CIS浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述去除覆盖在所述基底上表面的氧化膜和氮化硅层的步骤完成后，位于所述浅沟槽结构顶角位置处的负电荷吸附膜形成凹陷，所述热氧化层填充所述凹陷。