[发明专利]GaN基探测器在审

申请号：	202011296081.6	申请日：	2020-11-18
公开（公告）号：	CN112420856A	公开（公告）日：	2021-02-26
发明（设计）人：	杨天鹏;康建;郑远志;陈向东	申请（专利权）人：	马鞍山杰生半导体有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/105
代理公司：	北京华智则铭知识产权代理有限公司 11573	代理人：	沈抗勇
地址：	243000 安徽省马鞍***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	gan 探测器
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【权利要求书】：

1.GaN基探测器，包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、n型欧姆层(3)、本征型GaN有源层(4)和p型欧姆层(5)，其特征在于，所述衬底(1)、GaN缓冲层(2)、n型欧姆层(3)、本征型GaN有源层(4)和p型欧姆层(5)从下至上依次连接设置，所述n型欧姆层(3)上设置有n型接触层(6)，所述p型欧姆层(5)上设置有p型接触层(7)，所述n型欧姆层(3)、本征型GaN有源层(4)和p型欧姆层(5)外覆盖有一层钝化层(8)，所述本征型GaN有源层(4)和p型欧姆层(5)为锥台形结构。

2.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述n型接触层(6)具体为n型欧姆接触电极。

3.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述p型接触层(7)具体为p型欧姆接触电极。

4.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述衬底(1)具体为圆形化蓝宝石衬底。

5.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述n型欧姆层(3)为倒T形结构。

6.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述钝化层(8)具体为二氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述钝化层(8)的表面开设有用于n型接触层(6)和p型接触层(7)伸出的通口(9)。

8.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述n型接触层(6)和p型接触层(7)外均设有加厚电极(10)。

9.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述n型接触层(6)为电子束蒸发的Ti/Al/Ni/Au材料构成。

10.根据权利要求1所述的GaN基探测器，其特征在于，所述p型接触层(7)为电子束蒸发的Ni/Au材料构成。

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