[发明专利]GaN基探测器

说明书

本发明涉及探测器技术领域，且公开了GaN基探测器，包括衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层，所述衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层从下至上依次连接设置，所述n型欧姆层上设置有n型接触层，所述p型欧姆层上设置有p型接触层，所述n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层外覆盖有一层钝化层，所述本征型GaN有源层和p型欧姆层为锥台形结构。本发明增强了欧姆接触性能，保证了探测器的稳定性和响应速度。

技术领域

本发明涉及探测器技术领域，尤其涉及GaN基探测器。

背景技术

年来，GaN基材料因其宽的直接带隙、稳定的化学性质、高击穿电场以及电子饱和速率等特点，已经成为探测器领域的主流材料和研究热点。GaN基探测器代替真空管进行紫外探测，具有重大的应用潜力。

现有的GaN基探测器的p型电极与n型电极的欧姆接触性能较差，其较差的欧姆接触性能，影响了探测器的稳定性和响应速度，不能够很好的满足实际使用需求。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中的GaN基探测器的p型电极与n型电极的欧姆接触性能较差，其较差的欧姆接触性能，影响了探测器的稳定性和响应速度，不能够很好的满足实际使用需求的问题，而提出的GaN基探测器。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

GaN基探测器，包括衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层，所述衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层从下至上依次连接设置，所述n型欧姆层上设置有n型接触层，所述p型欧姆层上设置有p型接触层，所述n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层外覆盖有一层钝化层，所述本征型GaN有源层和p型欧姆层为锥台形结构。

优选的，所述n型接触层具体为n型欧姆接触电极。

优选的，所述p型接触层具体为p型欧姆接触电极。

优选的，所述衬底具体为圆形化蓝宝石衬底。

优选的，所述n型欧姆层为倒T形结构。

优选的，所述钝化层具体为二氧化硅层。

优选的，所述钝化层的表面开设有用于n型接触层和p型接触层伸出的通口。

优选的，所述n型接触层和p型接触层外均设有加厚电极。

优选的，所述n型接触层为电子束蒸发的Ti/Al/Ni/Au材料构成。

优选的，所述p型接触层为电子束蒸发的Ni/Au材料构成。

与现有技术相比，本发明提供了GaN基探测器，具备以下有益效果：

该GaN基探测器，通过设有的衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层、p型欧姆层、n型接触层、p型接触层和钝化层，衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层、p型欧姆层、n型接触层、p型接触层和钝化层依次连接设置，衬底采用圆形化蓝宝石衬底通过在蓝宝石表面制作微细结构，在材料生长过程中有利于应力的弛豫，并且能够有效减少贯通性位错的产生，提高晶体质量，钝化层的设置对n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层都具有很好的防护，且在n型接触层和p型接触层加设加厚电极，保证了电性连接的稳定顺畅性，增强了欧姆接触性能，保证了探测器的稳定性和响应速度。

而且该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本发明增强了欧姆接触性能，保证了探测器的稳定性和响应速度。

附图说明

图1为本发明提出的GaN基探测器的结构示意图。