[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

形成半导体堆叠结构；

选取所述半导体堆叠结构中的至少一层作为待处理层，在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一刻蚀间隙和第一相变结构体，所述第一相变结构体的表面具有第一粗糙度，所述第一方向垂直于所述第二方向；

对每一所述第一相变结构体的表面进行粗糙化处理，以使得处理后的第一相变结构体的表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度；

在所述处理后的第一相变结构体周围沉积第一封装层，形成所述半导体器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成半导体堆叠结构包括：由下至上依次堆叠形成中间电极层、相变材料层和顶部电极层；

所述选取所述半导体堆叠结构中的至少一层作为待处理层，包括：

选取所述相变材料层和所述顶部电极层作为所述待处理层；

对应地，所述在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，包括：

在所述第一方向上，由上至下依次刻蚀所述顶部电极层和所述相变材料层，直至暴露出所述中间电极层为止；其中，刻蚀所述顶部电极层和所述相变材料层的刻蚀方向，与所述第一方向和所述第二方向垂直。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对每一所述第一相变结构体的表面进行粗糙化处理，包括：将特定类型的保护气体，以预设参数作用于每一所述第一相变结构体的表面以进行所述粗糙化处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将特定类型的保护气体，以预设参数作用于每一所述第一相变结构体的表面以进行所述粗糙化处理，包括：

将特定类型的第一保护气体，以第一参数作用于每一所述第一相变结构体的表面，实现对所述第一相变结构体表面的清洁处理；和/或，

将特定类型的第二保护气体，以第二参数作用于每一所述第一相变结构体的表面，实现对所述第一相变结构体表面的刻蚀处理；其中，所述第二参数大于所述第一参数。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一保护气体包括：任意一种惰性气体或任意一种惰性气体的等离子体；

所述第二保护气体包括：任意一种惰性气体或任意一种惰性气体的等离子体；

所述第一保护气体与所述第二保护气体相同或不同。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一参数的类型与所述第二参数的类型相同；

所述第一参数的类型包括以下任意一种：气体压力、气体流量或气体能量。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成半导体堆叠结构还包括：形成位于所述中间电极层之下的选通层、底部电极层和第一地址线层；

所述在所述处理后的第一相变结构体周围沉积第一封装层，形成所述半导体器件，包括：

在沉积所述第一封装层之后，在所述第一方向上，由上至下依次刻蚀所述中间电极层、所述选通层、所述底部电极层和所述第一地址线层，直至暴露出衬底为止，以形成沿所述第二方向交替排列的第二刻蚀间隙和第二相变结构体，其中，刻蚀所述中间电极层、所述选通层、所述底部电极层和所述第一地址线层的刻蚀方向，与所述第一方向和所述第二方向垂直；

在所述第二相变结构体的周围沉积第二封装层，形成所述半导体器件。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二相变结构体的表面具有第三粗糙度；所述方法还包括：

在形成所述第二相变结构体之后，对每一所述第二相变结构体的表面进行所述粗糙化处理，以使得处理后的第二相变结构体的表面具有第四粗糙度，且所述第四粗糙度大于所述第三粗糙度。