[发明专利]包括具有裙部区域的栅极结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源鳍，其从衬底突出，并且在第一方向上延伸；以及

虚设栅极结构，其在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸以与所述有源鳍交叉，所述有源鳍具有位于所述虚设栅极结构下方的端部，

其中，所述虚设栅极结构包括第一裙部，在所述第一裙部中，所述虚设栅极结构的第一侧在所述第一方向上向外延伸以接触所述有源鳍的侧表面，

其中，所述第一裙部的外表面在竖直平面中具有凹形轮廓。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一裙部的外表面在水平平面中具有凹形轮廓。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二方向上延伸的栅极结构，所述栅极结构与所述有源鳍交叉，

其中，所述栅极结构包括第二裙部和第三裙部，在所述第二裙部中，所述栅极结构的第一侧在所述第一方向上向外延伸以接触所述有源鳍的侧表面，在所述第三裙部中，与所述栅极结构的第一侧相对的所述栅极结构的第二侧在所述第一方向上向外延伸以接触所述有源鳍的侧表面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，与所述虚设栅极结构的第一侧相对的所述虚设栅极结构的第二侧是不包括任何裙部的平坦侧表面。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述虚设栅极结构和所述栅极结构中的每一个包括：栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上并包括第一金属的功函数控制层；以及导电层，其位于所述功函数控制层上，并且包括与所述第一金属不同的第二金属。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述有源鳍具有在所述第二方向上彼此相对的第一长边和第二长边，

其中，所述第一裙部与所述第一长边的表面接触，

其中，所述虚设栅极结构包括第四裙部，在所述第四裙部中，所述虚设栅极结构的第一侧在所述第一方向上向外延伸以与所述第二长边的表面接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括第五裙部，在所述第五裙部中，所述栅极结构的第二侧在所述第一方向上向外延伸以与所述第二长边的表面接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括器件隔离层，所述器件隔离层在所述第二方向上延伸并且与所述有源鳍的端部接触，

其中，所述虚设栅极结构位于所述有源鳍和所述器件隔离层上。

9.一种半导体器件，包括：

第一有源鳍，其从衬底突出，并且在第一方向上延伸；

第二有源鳍，其从所述衬底突出，在所述第一方向上延伸，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一有源鳍间隔开；

栅极结构，其在所述第二方向上延伸以与所述第一有源鳍和所述第二有源鳍交叉；以及

虚设栅极结构，其在所述第二方向上延伸以与所述第一有源鳍和所述第二有源鳍交叉，所述第一有源鳍和所述第二有源鳍具有在所述虚设栅极结构下方的各自的端部，

其中，所述栅极结构与所述虚设栅极结构之间的第一距离从所述第一有源鳍的一侧向所述第一有源鳍与所述第二有源鳍之间的区域逐渐增大，并且从所述区域向所述第二有源鳍的一侧逐渐减小，

其中，所述第一距离在所述区域中最大，并且

其中，所述栅极结构和所述虚设栅极结构之间的沿着所述第一有源鳍的所述一侧的第二距离随着高度的增加而逐渐增大。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括器件隔离层，所述器件隔离层在所述第二方向上延伸并且与所述第一有源鳍和所述第二有源鳍的各自的端部接触，

其中，所述栅极结构和所述虚设栅极结构位于所述第一有源鳍、所述第二有源鳍和所述器件隔离层上。