[发明专利]包括具有裙部区域的栅极结构的半导体器件

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

本申请是基于2016年1月14日提交的、申请号为201610023864.4、发明创造名称为“包括具有裙部区域的栅极结构的半导体器件”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年1月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0006772以及于2015年1月16日在美国专利商标局提交的美国临时专利申请No.62/104,539的优先权，所述申请的每一个的内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

已经提出了多栅极晶体管来作为用于增大集成电路器件的密度的潜在技术。多栅极晶体管具有形成在衬底上的鳍形或纳米线形状的半导体主体以及随后形成在半导体主体表面上的栅极。由于多栅极晶体管使用三维(3D)沟道，因此容易实现多栅极晶体管的定标。另外，可在不增大多栅极晶体管的栅极长度的情况下提高电流控制能力。此外，在多栅极晶体管中，可抑制沟道区电势受漏极电压影响的短沟道效应(SCE)。

发明内容

本发明构思提供了具有改进的操作性能的半导体器件。

根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体器件，其包括：有源鳍，其从衬底突出并且在第一方向上延伸；栅极结构，其在与第一方向交叉的第二方向上延伸，所述栅极结构位于所述有源鳍上；以及场绝缘层，其位于所述有源鳍的长边的底部上，所述场绝缘层的顶表面与所述有源鳍的交叉部分限定至少一条线段，其中所述栅极结构包括裙部，其在第一方向上向外延伸以覆盖所述至少一条线段的一部分同时暴露出所述至少一条线段的另一部分。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体器件，其包括：从衬底向上突出并且在第一方向上彼此平行地延伸的第一有源鳍和第二有源鳍；以及第一栅极结构，其在与第一方向交叉的第二方向上延伸，所述第一栅极结构位于所述有源鳍上并且位于第二有源鳍上，其中，第一栅极结构包括：第一裙部，在其中第一栅极结构的第一侧在第一方向上向外延伸以接触第一有源鳍的第一侧；第二裙部，在其中第一栅极结构的第二侧在第一方向上向外延伸以接触第一有源鳍的第一侧，所述第一栅极结构的第二侧与第一栅极结构的第一侧相对；第三裙部，在其中第一栅极结构的第一侧在第一方向上向外延伸以接触面对第一有源鳍的第一侧的第二有源鳍的第一侧；以及第四裙部，在其中第一栅极结构的第二侧在第一方向上向外延伸，以接触第二有源鳍的第一侧。

根据本发明构思的又一方面，提供了一种半导体器件，其包括：有源鳍，其从衬底突出并且在第一方向上延伸；栅极结构，其在与第一方向交叉的第二方向上延伸，所述栅极结构与所述有源鳍交叉；以及虚设栅极结构，其在第二方向上延伸以与有源鳍交叉，所述有源鳍具有位于所述虚设栅极结构下方的端部，其中，所述虚设栅极结构包括第一裙部，在其中所述虚设栅极结构的第一侧在第一方向上向外延伸以接触有源鳍的侧表面。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体器件，其包括：从衬底突出并且在第一方向上彼此平行地延伸的第一有源鳍和第二有源鳍；第一栅极结构，其在与第一方向交叉的第二方向上延伸，所述第一栅极结构位于第一有源鳍和第二有源鳍上；以及第二栅极结构，其与第一栅极结构平行地延伸，所述第二栅极结构位于第一有源鳍和第二有源鳍上，其中，所述第一栅极结构包括：邻近第一有源鳍的第一区以及与第一有源鳍和第二有源鳍间隔开的第二区，第一区的宽度大于第二区的宽度，并且所述第二栅极结构包括：邻近第一有源鳍的第三区以及与第一有源鳍和第二有源鳍间隔开的第四区，第三区的宽度大于第四区的宽度。