[发明专利]具有非功能结构的集成电路在审

专利信息
申请号: 202011300436.4 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN113130403A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 斯文·特雷斯特;托比亚斯·理查德·埃里克·宁克 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 罗松梅
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 功能 结构 集成电路
【权利要求书】:

1.一种集成电路,其特征在于,包括:

多个功能结构,所述多个功能结构包括一或多个功能金属结构;以及

多个非功能结构,所述多个非功能结构包括一或多个非功能金属结构;

其中所述一或多个功能金属结构中的至少一个功能金属结构连接到所述一或多个非功能金属结构中的至少一个非功能金属结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述一或多个功能金属结构中的至少一个功能金属结构连接到所述一或多个非功能金属结构中的至少一个非功能金属结构包括所述至少一个功能金属结构通过通孔连接到所述至少一个非功能金属结构。

3.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述一或多个功能金属结构中的至少一个功能金属结构连接到所述一或多个非功能金属结构中的至少一个非功能金属结构包括所述至少一个功能金属结构与所述至少一个非功能金属结构物理接触,其中所述至少一个功能金属结构和所述至少一个非功能金属结构在同一层中。

4.根据权利要求1所述的集成电路,

其特征在于,所述一或多个功能金属结构包括第一层中的第一功能金属结构和第二功能金属结构,以及第二层中的第三功能金属结构;并且

其中所述一或多个非功能金属结构包括所述第一层中的第一非功能金属结构和第二非功能金属结构,以及所述第二层中的第三非功能金属结构。

5.根据权利要求4所述的集成电路,

其特征在于,所述第一层中的所述第一功能金属结构通过第一通孔连接到所述第二层中的所述第三非功能金属结构;

其中所述第二层中的所述第三功能金属结构通过第二通孔连接到所述第一层中的所述第一非功能金属结构;并且

其中所述第一层中的所述第二功能金属结构在不使用通孔的情况下与所述第一层中的所述第二非功能金属结构物理接触。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,所述多个功能结构包括所述第一通孔和所述第二通孔。

7.根据权利要求5所述的集成电路,其特征在于,所述多个非功能结构包括所述第一通孔和所述第二通孔。

8.根据权利要求1所述的集成电路,

其特征在于,所述一或多个功能金属结构包括第一层中的第一功能金属结构和第二层中的第二功能金属结构,

其中所述第一功能金属结构通过通孔连接到所述第二功能金属结构。

9.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述集成电路为安全IC。

10.一种针对包括多个功能结构的集成电路实施的方法,所述多个功能结构包括一或多个功能金属结构,其特征在于,所述方法包括,

将多个非功能结构插入到所述集成电路,所述多个非功能结构包括一或多个非功能金属结构;以及

将所述一或多个功能金属结构中的至少一个功能金属结构连接到所述一或多个非功能金属结构中的至少一个非功能金属结构。

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