[发明专利]一种研磨结构和研磨装置在审
申请号: | 202011300630.2 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112536711A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 陈光林 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/16;B24B45/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影;李红标 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 研磨 结构 装置 | ||
本发明实施例提供一种研磨结构和研磨装置,属于研磨技术领域,研磨结构包括:基座;研磨盘,所述研磨盘上设有沟槽,所述研磨盘可拆卸地设在所述基座上。在本发明的研磨结构中,将研磨盘设计成可拆卸式,便于进行清洗,研磨盘可拆卸替换,避免因局部损伤导致整个研磨结构更换的问题,可有效提升研磨盘利用率;通过沟槽可以排除砂浆及碎屑,在使用过程中,可以将研磨盘从所述基座上拆卸下来,便于清洗沟槽中残留的砂浆及碎屑,防止出现砂浆及碎屑淤积,延长研磨盘寿命,使得加工过程中的砂浆流转均匀,提高硅片表面的平坦度。
技术领域
本发明涉及研磨技术领域,具体涉及一种研磨结构和研磨装置。
背景技术
半导体硅片加工过程主要包括长晶、成型、抛光和清洗几个主要环节,其中,成型工序主要对产品的厚度、外形尺寸进行磨削。现有的研磨工艺中,常通过研磨盘对硅片进行研磨,使其达到指定厚度机平平坦度。现有研磨盘易出现砂浆及碎屑淤积,导致研磨盘寿命缩短,加工过程中砂浆流转不均匀,不同区域研磨效率出现差异,最终导致产品厚度及平坦度降低。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种研磨结构和研磨装置,用以解决现有研磨盘易出现砂浆及碎屑淤积,加工过程中砂浆流转不均匀,导致产品平坦度降低的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明实施例提供一种研磨结构,包括:
基座;
研磨盘,所述研磨盘上设有沟槽,所述研磨盘可拆卸地设在所述基座上。
其中,所述研磨盘包括:
连接板和研磨体,所述连接板与所述基座可拆卸地连接,相邻的两个所述研磨体之间间隔开限定出所述沟槽。
其中,所述研磨体可拆卸地设在所述连接板上。
其中,相邻两个所述研磨体之间的间距可调节。
其中,还包括:
双头螺栓,相邻两个所述研磨体之间通过所述双头螺栓连接。
其中,所述连接板为环形,所述连接板的内侧边缘设有第一螺栓,所述第一螺栓连接所述连接板与所述基座,所述连接板的外侧边缘设有第二螺栓,所述第二螺栓连接所述连接板与所述基座。
其中,所述基座上设有沿所述基座的厚度方向贯穿的通孔,所述通孔与所述沟槽连通。
第二方面,本发明实施例提供一种研磨装置,包括上述实施例中所述的研磨结构。
其中,所述研磨装置包括:
机体;
驱动结构,所述驱动结构设在所述机体上,所述驱动结构与所述研磨结构的所述基座相连;
浆料供应结构,所述浆料供应结构与所述沟槽连通。
其中,所述研磨结构具有两个,两个所述研磨结构在所述研磨盘的轴向方向上间隔开,且两个所述研磨结构中的所述研磨盘相对设置。
根据本发明实施例的研磨结构,包括:基座;研磨盘,所述研磨盘上设有沟槽,所述研磨盘可拆卸地设在所述基座上。在本发明的研磨结构中,将研磨盘设计成可拆卸式,便于进行清洗,研磨盘可拆卸替换,避免因局部损伤导致整个研磨结构更换的问题,可有效提升研磨盘利用率;通过沟槽可以排除砂浆及碎屑,在使用过程中,可以将研磨盘从所述基座上拆卸下来,便于清洗沟槽中残留的砂浆及碎屑,防止出现砂浆及碎屑淤积,延长研磨盘寿命,使得加工过程中的砂浆流转均匀,提高硅片表面的平坦度。
附图说明
图1为本发明实施例的研磨结构的一个结构示意图;
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