[发明专利]一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒

权利要求书

1.一种晶圆划片方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供晶圆，所述晶圆的表面设有多条第一切割道和第二切割道，所述第一切割道和所述第二切割道在平行于所述衬底表面的第一方向和第二方向上交错分布；

对所述晶圆进行划片，采用激光光束分别沿所述第一切割道和所述第二切割道对所述晶圆进行划片，在所述晶圆的表面形成沿第一方向和第二方向交错的多条沟槽；

其中，所述激光光束与垂直于所述衬底的第三方向具有一夹角，使得所述激光光束自所述第三方向倾斜照射至所述晶圆表面。

2.根据权利要求1所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述第一切割道和所述第二切割道垂直交错设置。

3.根据权利要求1所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述沟槽的深度介于38μm～46μm。

4.根据权利要求1所述的晶圆划片方法，其特征在于，沿所述激光光束的照射方向，所述沟槽的宽度逐渐变小，其中，所述沟槽的宽度小于或者等于12μm。

5.根据权利要求1所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述激光光束与垂直于所述衬底的第三方向的夹角介于5°～45°。

6.根据权利要求1或5所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述沟槽包括第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一侧壁自所述第三方向倾斜，并且所述第一侧壁的倾斜方向与所述激光光束的倾斜方向相同，所述第二侧壁垂直于所述衬底表面。

7.根据权利要求6所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述沟槽的所述第一侧壁的高度小于所述第二侧壁的高度。

8.根据权利要求1所述的晶圆划片方法，其特征在于，所述晶圆包括生长衬底以及形成在所述生长衬底表面的外延层，所述第一切割道和所述第二切割道位于所述外延层的表面上。

9.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括经划片得到的多颗芯粒以及位于所述芯粒之间的多个沟槽，所述沟槽在平行于所述衬底表面的第一方向和第二方向上交错排列，所述沟槽包括第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一侧壁的高度小于所述第二侧壁的高度。

10.根据权利要求9所述的晶圆，其特征在于，相邻所述芯粒间的所述沟槽的宽度小于或者等于12μm。

11.根据权利要求9所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽的深度介于38μm～46μm。

12.根据权利要求9所述的晶圆，其特征在于，所述沟槽的所述第一侧壁自垂直于所述晶圆表面的第三方向倾斜，与所述第三方向具有一夹角，所述第二侧壁垂直于所述衬底表面。

13.根据权利要求12所述的晶圆，其特征在于，所述第一侧壁与所述第三方向的夹角介于5°～45°。

14.一种芯粒，其特征在于，所述芯粒包括衬底以及形成在所述衬底上的外延层；所述衬底及所述外延层形成所述芯粒的四个侧壁，其中，所述芯粒中相对设置的两个侧壁具有不同的高度。

15.根据权利要求14所述的芯粒，其特征在于，所述芯粒的第一侧壁与所述芯粒的第二侧壁相对，所述芯粒的第三侧壁与所述芯粒的第四侧壁相对，所述芯粒的第一侧壁的高度低于所述芯粒的第二侧壁的高度，所述芯粒的第三侧壁的高度低于所述芯粒的第四侧壁的高度。

16.根据权利要求15所述的芯粒，其特征在于，所述芯粒的所述第一侧壁和第三侧壁自垂直于所述晶圆表面的第三方向倾斜，与所述第三方向具有一夹角，所述第二侧壁和所述第四侧壁垂直于所述衬底表面。