[发明专利]一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒

说明书

本发明提供一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒，在划片过程中，通过调整划片装置中反射镜的角度，激光光束与垂直于晶圆衬底的第三方向具有一夹角，使得激光光束自第三方向倾斜照射至所述晶圆表面所设置的切割道，因而划片产生的芯粒四周的四个侧壁中，有相邻两侧壁的高度相同且相对两侧壁的高度不同，在后续的分选、固晶阶段，当用吸嘴将芯粒放置于特定区域时，降低了吸嘴释放的难度，从而改善了芯粒粘附吸嘴的问题。此外，本发明仅通过微调划片装置中反射镜的角度，就能够降低后续分选、固晶阶段吸嘴释放的难度，改善芯粒粘附吸嘴的问题，操作简单，实用性较强。

技术领域

本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒。

背景技术

晶圆是制造半导体器件的基础性原材料，可以广泛应用在各类电子设备当中。晶圆划片是获得单颗芯粒，并进行后续的分选、测试、封装等过程中的关键工序，晶圆划片主要包括划片刀划片和激光划片两种工艺。对于激光划片，激光光束非接触垂直照射至晶圆表面的切割道，使被照射区域局部熔化、汽化，从而达到去除材料，实现晶圆初步分离的目的。然而晶圆在激光划片过程中会产生回熔，激光光束使划痕两侧的回熔堆积相同，即，芯粒四周的四个侧壁高度一致。这样的芯粒结构会导致在后续的分选、固晶阶段芯粒粘附吸嘴、吸嘴不易释放的问题，同时也会影响晶圆片的质量。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明提出了一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒，在划片过程中，激光光束与垂直于晶圆表面的第三方向具有一夹角，使得激光光束自第三方向倾斜照射至晶圆表面，使划片得到的芯粒四周的四个侧壁中，有相邻两侧壁的高度相同且相对两侧壁的高度不同，改善了晶圆在后续的分选、固晶阶段产生的粘附吸嘴的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆及晶圆划片方法及一种芯粒，所述晶圆划片方法包括如下步骤：

提供晶圆，所述晶圆的表面设有多条第一切割道和第二切割道，所述第一切割道和所述第二切割道在平行于所述衬底表面的第一方向和第二方向上交错分布；

对所述晶圆进行划片，采用激光光束分别沿所述第一切割道和所述第二切割道对所述晶圆进行划片，在所述晶圆的表面形成沿第一方向和第二方向交错的多条沟槽；

其中，所述激光光束与垂直于所述衬底的第三方向具有一夹角，使得所述激光光束自所述第三方向倾斜照射至所述晶圆表面。

可选地，所述第一切割道和所述第二切割道垂直交错设置。

可选地，所述沟槽的深度介于38μm～46μm。

可选地，沿所述激光光束的照射方向，所述沟槽的宽度逐渐变小，其中，所述沟槽的宽度小于或者等于12μm。

可选地，所述激光光束与垂直于所述衬底的第三方向的夹角介于5°～45°。

可选地，所述沟槽包括第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一侧壁自所述第三方向倾斜，并且所述第一侧壁的倾斜方向与所述激光光束的倾斜方向相同，所述第二侧壁垂直于所述衬底表面。

可选地，所述沟槽的所述第一侧壁的高度小于所述第二侧壁的高度。

可选地，所述晶圆包括生长衬底以及形成在所述生长衬底表面的外延层，所述第一切割道和所述第二切割道位于所述外延层的表面上。

本发明还提供一种晶圆，所述晶圆包括经划片得到的多颗芯粒以及位于所述芯粒之间的多个沟槽，所述沟槽在平行于所述衬底表面的第一方向和第二方向上交错排列，所述沟槽包括第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一侧壁的高度小于所述第二侧壁的高度。

可选地，相邻所述芯粒间的所述沟槽的宽度小于或者等于12μm。

可选地，所述沟槽的深度介于38μm～46μm。