[发明专利]一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺在审
| 申请号： | 202011301531.6 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112420490A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李秀丽;邹宇;张平;郭钰;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王欢 |
| 地址： | 221000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 sic wafer 衬底 湿法 清洗 工艺 | ||
1.一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺，包括以下步骤：
将抛光后SiC Wafer衬底先进行碱液除脂清洗，再进行表面活性剂的乳化清洗，再进一步清洗，得到清洗后衬底；
所述进一步清洗的方式选自超声震荡清洗、弱酸清洗、改进RCA湿法清洗和螯合剂的络合清洗中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述碱液除脂清洗采用的碱液包括NaOH溶液和/或KOH溶液；
所述碱液的质量分数为10～70wt％。
3.根据权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述碱液除脂清洗的温度为20～80℃，时间为3～30min。
4.根据权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述表面活性剂的乳化清洗采用的表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、脂肪酸甘油酯、脂肪酸聚乙烯醚硫酸钠和月桂醇硫酸钠中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述螯合剂的络合清洗采用的螯合剂选自乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述超声震荡清洗采用纯水；所述超声震荡清洗的温度为20～80℃；超声的频率20～40KHz，超声的功率为200～400W。
7.根据权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述弱酸清洗采用的弱酸选自H2CO3、CH3COOH、HClO和H3PO4中的一种或多种；
所述弱酸清洗的温度为5～40℃。
8.根据权利要求1所述的湿法清洗工艺，其特征在于，所述改进RCA湿法清洗采用的清洗剂选自SPM、SC1、SC2、DHF和CSE中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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