[发明专利]一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺

说明书

本发明提供了一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺，包括以下步骤：将抛光后SiC Wafer衬底先进行碱液除脂清洗，再进行表面活性剂的乳化清洗，再进一步清洗，得到清洗后衬底；所述进一步清洗的方式选自超声震荡清洗、弱酸清洗、改进RCA湿法清洗和螯合剂的络合清洗中的一种或多种。该清洗工艺简单，操作无安全隐患；清洗后的Wafer表面洁净程度高，表面粗糙度较小，进一步提高衬底的品质，减少外延片上微颗粒的聚集。使用表面缺陷检测仪测定，≥5μm的颗粒较传统工艺平均降至30个以内/片，≥0.13μm颗粒一次去除率达90％以上；通过TXRF测定，离子残留量低至0.1×10¹⁰atoms/cm²。

技术领域

本发明属于Wafer清洗技术领域，尤其涉及一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺。

背景技术

随着新能源并网、互联网通讯的发展，人们对功率半导体器件性能指标和可靠性的要求日益提高，这就要求半导体衬底不断突破Wafer尺寸的局限，同时品质稳步提升。纵观全球，虽然半导体衬底的品质在大幅提升，但依然无法有效控制Wafer衬底表面的颗粒度。因此，抛光后SiC Wafer衬底的洁净程度对晶片品质尤为重要。

目前Wafer衬底的清洗主要有湿式化学洗净技术、干式清洗技术、气相清洗技术，但是单纯的一种清洗工艺都不能有效降低Wafer表面的颗粒数量，主流的RCA湿法化学清洗工艺对Wafer的清洗能力也有一定局限性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺，该清洗工艺简单，清洗后的Wafer洁净程度较高。

本发明提供了一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺，包括以下步骤：

将抛光后SiC Wafer衬底先进行碱液除脂清洗，再进行表面活性剂的乳化清洗，再进一步清洗，得到清洗后衬底；

所述进一步清洗的方式选自超声震荡清洗、弱酸清洗、改进RCA湿法清洗和螯合剂的络合清洗中的一种或多种。

优选地，所述碱液除脂清洗采用的碱液包括NaOH溶液和/或KOH溶液；

所述碱液的质量分数为10～70wt％。

优选地，所述碱液除脂清洗的温度为20～80℃，时间为3～30min。

优选地，所述表面活性剂的乳化清洗采用的表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、脂肪酸甘油酯、脂肪酸聚乙烯醚硫酸钠和月桂醇硫酸钠中的一种或多种。

优选地，所述螯合剂的络合清洗采用的螯合剂选自乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸中的一种或多种。

优选地，所述超声震荡清洗采用纯水；所述超声震荡清洗的温度为20～80℃；超声的频率20～40KHz，超声的功率为200～400W。

优选地，所述弱酸清洗采用的弱酸选自H₂CO₃、CH₃COOH、HClO和H₃PO₄中的一种或多种；

所述弱酸清洗的温度为5～40℃。

优选地，所述改进RCA湿法清洗采用的清洗剂选自SPM、SC1、SC2、DHF和CSE中的一种或多种。