[发明专利]带隙基准电路在审
申请号: | 202011302615.1 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112596576A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 赵东艳;胡毅;刘兴;唐晓柯;李振国;冯文楠;汪宇怀 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;王晓晓 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电路 | ||
本发明提供一种带隙基准电路,属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括:电源模块,与电源端相连接,用于输出电流信号;以及误差放大模块,包括运算放大器,与所述电源模块相连接,用于对所述电流信号进行补偿,以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过本发明提供的技术方案,采用由运算放大器构成的误差放大模块对电信号进行补偿,可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压,且带隙基准电路的结构简单,可以适用于纯模拟电路领域中。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,具体地涉及一种带隙基准电路。
背景技术
带隙基准参考源电路广泛地应用于模拟电路中,其能够提供一个与工艺、电压和温度无关的电压,带隙基准参考源电路中的基准电压源已成为大规模和超大规模集成电路以及几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。所述基准电压源可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片等电路中。
基准电压源输出的基准电压的温度特性和精度对整个系统的性能有直接的影响。经典的带隙基准参考源结构是利用一个具有正温度系数的电压与具有负温度系数的电压以合适的权重相加,产生一个零温度系数的参考电压。例如,双极性晶体管的基极-发射极电压(VBE)具有负温度系数,而两个工作在不相等电流密度下的双极性晶体管的基极-发射极电压之差(ΔVBE)与绝对温度成正比。这种带隙基准电路最为常用的产生正负温度系数电压的方法可满足中等精度应用需求的电路。
在高精度应用需求中,限制带隙基准参考源精度的一个重要因素是运放失调的影响。在现有技术中,有两种用于消除失调的方法,一种是针对运放本身设计低失调电压的放大器,例如运放采用前置斩波电路或者相关双采样电路等消除失调,另一种是采用Chopper技术,通过控制钟控开关使运放两输入端的环境一致,以抵消运放失调对带隙基准输出的影响。
上述第一种方案中,仅仅靠设计低失调或零失调放大器往往会牺牲运放的其他性能,代价过大,而上述采用Chopper技术的方案中必须用到数字电路的控制信号,因而不适用于纯模拟电路领域。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种带隙基准电路,用于解决上述技术问题中的一者或多者。
为了实现上述目的,本发明实施例提供一种带隙基准电路,所述带隙基准电路包括:电源模块,与电源端相连接,用于输出电流信号;以及误差放大模块,包括运算放大器,与所述电源模块相连接,用于对所述电流信号进行补偿,以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。
可选的,所述电源模块包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第九MOS管MP9,所述第一晶体管Q1的集电极和基极接地,所述第二晶体管Q2的集电极和基极接地;所述第一晶体管Q1的发射极通过所述第一电阻R1与所述第九MOS管MP9的漏极相连接;所述第二晶体管Q2的发射极通过所述第三电阻R3和所述第二电阻R2与所述第九MOS管MP9的漏极相连接;所述第九MOS管MP9的源极与所述电源端相连接,所述第九MOS管MP9的栅极与所述误差放大模块相连接。
可选的,所述误差放大模块包括多个运算放大器,且所述多个运算放大器之间级联连接以构成多级运放结构。
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