[发明专利]III族氮化物层叠基板和半导体元件在审
| 申请号： | 202011302621.7 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112838148A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章;今野泰一郎;木村健司 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 层叠 半导体 元件 | ||
1.一种III族氮化物层叠基板，其具有：
基底基板；
第一层，其形成在所述基底基板上且由氮化铝构成；以及
第二层，其形成在所述第一层上且由氮化镓构成，
所述第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10-12)衍射的半值宽度为200秒以下。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物层叠基板，其中，所述第二层的表面具有以5μm见方区域的通过原子力显微镜测定而求出的均方根值计为0.5nm以下的表面粗糙度。
3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物层叠基板，其中，所述第二层的厚度的面内偏差为4％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物层叠基板，其中，在所述第二层中添加有杂质，所述第二层中的杂质浓度的面内偏差为4％以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的III族氮化物层叠基板，其中，在所述第二层中添加有用于控制载流子浓度的杂质，所述第二层中的载流子浓度的面内偏差为4％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的III族氮化物层叠基板，其中，所述III族氮化物层叠基板的翘曲为140μm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的III族氮化物层叠基板，其中，所述第二层的厚度为3μm以下。
8.根据权利要求7所述的III族氮化物层叠基板，其中，所述第二层的厚度的面内偏差为2.5％以下。
9.根据权利要求7或8所述的III族氮化物层叠基板，其中，在所述第二层中添加有杂质，所述第二层中的杂质浓度的面内偏差为2.5％以下。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的III族氮化物层叠基板，其中，所述III族氮化物层叠基板的翘曲为50μm以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的III族氮化物层叠基板，其用于制造半导体元件，所述第二层作为所述半导体元件的动作层的至少一部分来使用。
12.一种半导体元件，其具备权利要求1～11中任一项所述的III族氮化物层叠基板所具有的所述第二层来作为动作层的至少一部分。
13.一种III族氮化物层叠基板，其具有：
基底基板；以及
第一层，其形成在所述基底基板上且由氮化铝构成，
所述第一层具有作为使第二层生长的基底而使用的表面，
所述第二层由氮化镓构成，厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10-12)衍射的半值宽度为200秒以下。
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