[发明专利]III族氮化物层叠基板和半导体元件

说明书

本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体元件。提供能够提高形成在基底基板上的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：基底基板；第一层，其形成在基底基板上且由氮化铝构成；以及第二层，其形成在第一层上且由氮化镓构成，第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为200秒以下。

技术领域

本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体元件。

背景技术

在蓝宝石基板等属于异种基板的基底基板上形成有GaN层的III族氮化物层叠基板(以下也称为晶圆)作为用于制造发光二极管(LED)等半导体元件的材料来使用(例如参照专利文献1)。随着晶圆的大直径化和半导体元件的微细化的发展，例如由晶圆的翘曲引起的光刻精度降低的影响正在变大。

例如，为了降低晶圆的翘曲，可以考虑将形成在基底基板上的GaN层减薄。但是，担心因减薄GaN层而导致结晶性等GaN层的品质降低。期望即使减薄也能够形成高品质GaN层的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-225648号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的一个目的是提供能够提高在基底基板上形成的GaN层的品质的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方式，提供一种III族氮化物层叠基板，其具有：

基底基板；

第一层，其形成在前述基底基板上且由氮化铝构成；以及

第二层，其形成在前述第一层上且由氮化镓构成，

前述第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10-12)衍射的半值宽度为200秒以下。

根据本发明的其它方式，提供一种半导体元件，

其具备上述一个方式的III族氮化物层叠基板所具有的前述第二层来作为动作层的至少一部分。

根据本发明的其它方式，提供一种III族氮化物层叠基板，其具有：

基底基板；以及

第一层，其形成在前述基底基板上且由氮化铝构成，

前述第一层具有作为使第二层生长的基底而使用的表面，

所述第二层由氮化镓构成，厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10-12)衍射的半值宽度为200秒以下。

发明的效果

提供能够提高在基底基板上形成的GaN层的品质的技术。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的晶圆的例示性示意截面图。

图2是表示第一实施方式的晶圆的制造方法的一例的流程图。

图3是第二实施方式的晶圆的例示性示意截面图。

图4是表示第二实施方式的半导体元件的第一例的示意截面图。

图5是表示第二实施方式的半导体元件的第二例的示意截面图。