[发明专利]载置台和检查装置在审
| 申请号： | 202011306861.4 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112864074A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 小林大;中山博之;赤池由多加 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载置台 检查 装置 | ||
1.一种载置台，其载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，
该载置台包括：
第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；
加热源，其搭载于所述第1冷却板，用于加热所述被检查体；
透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；以及
第2冷却板，其设于所述透过构件之上，具有真空吸附所述被检查体的载置面和第2制冷剂流路，该第2冷却板由陶瓷构成，对所述载置面实施镜面研磨加工。
2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
所述第2冷却板的真空吸附所述被检查体的载置面的最大高度Rmax为0.025μm～0.2μm。
3.根据权利要求1或2所述的载置台，其中，
所述第2冷却板的厚度为3mm～10mm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，
所述第2制冷剂流路形成在所述第2冷却板的下表面或内部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的载置台，其中，
构成所述第2冷却板的陶瓷为碳化硅制、碳化硅和硅的复合材料制、或者氮化铝制。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的载置台，其中，
该载置台还包括吸热膜，该吸热膜设于所述第2冷却板的下表面。
7.一种检查装置，其以对被检查体施加载荷的方式按压探针卡的接触端子，对所述被检查体的电子器件进行检查，其中，
该检查装置包括载置所述被检查体的载置台，
所述载置台具有：
第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；
加热源，其搭载于所述第1冷却板，用于加热所述被检查体；
透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；以及
第2冷却板，其设于所述透过构件之上，具有真空吸附所述被检查体的载置面和第2制冷剂流路，该第2冷却板由陶瓷构成，对所述载置面实施镜面研磨加工。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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