[发明专利]载置台和检查装置在审
申请号: | 202011306861.4 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112864074A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 小林大;中山博之;赤池由多加 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载置台 检查 装置 | ||
本发明提供能够降低载置被检查体的载置台和被检查体之间的接触热阻的载置台和检查装置。提供如下载置台:该载置台载置具有电子器件的被检查体,以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子,其中,该载置台包括:第1冷却板,其形成有第1制冷剂流路;加热源,其搭载于所述第1冷却板,用于加热所述被检查体;透过构件,其设于所述加热源之上,使所述加热源所输出的光透过;以及第2冷却板,其设于所述透过构件之上,具有真空吸附所述被检查体的载置面和第2制冷剂流路,该第2冷却板由陶瓷构成,对所述载置面实施镜面研磨加工。
技术领域
本公开涉及载置台和检查装置。
背景技术
专利文献1公开了一种载置装置,该载置装置包括:顶板,其由陶瓷形成;温度调节体,其具有与顶板一体化的冷却套和面加热器;绝热板,其隔着绝热环与温度调节体一体化;以及保温用板环,其安装于这些构件的外周面。保温用板环的两面形成为镜面状,易于反射来自顶板、面加热器等的辐射热并且抑制来自保温用板环的外表面的热辐射量。
专利文献1;日本特开2008-066692号公报
发明内容
本公开提供能够降低载置被检查体的载置台和被检查体之间的接触热阻的技术。
根据本公开的一技术方案,提供如下载置台:该载置台载置具有电子器件的被检查体,以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子,其中,该载置台包括:第1冷却板,其形成有第1制冷剂流路;加热源,其搭载于所述第1冷却板,用于加热所述被检查体;透过构件,其设于所述加热源之上,使所述加热源所输出的光透过;以及第2冷却板,其设于所述透过构件之上,具有真空吸附所述被检查体的载置面和第2制冷剂流路,该第2冷却板由陶瓷构成,对所述载置面实施镜面研磨加工。
根据一技术方案,能够降低载置被检查体的载置台和被检查体之间的接触热阻。
附图说明
图1是表示检查装置1的结构例的图。
图2是图1的检查装置1的俯视图。
图3是表示图1的检查装置1的晶圆输送机构的结构例的图。
图4是表示实施方式的载置台100的结构的一例的剖视图。
图5是表示SiC板的加工例的表面的图像和表面粗糙度的分布的图。
图6是表示实施方式的变形例的载置台100M的结构的一例的剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图对用于实施本公开的方式进行说明。另外,在本说明书和附图中,有时对实质上相同的结构标注相同的附图标记而省略重复的说明。在以下,使用图中的上下方向或上下关系进行说明,但并不是表示普遍的上下方向或上下关系。
<实施方式>
参照图1~图3,对检查装置1进行说明。图1是表示检查装置1的结构例的图。图2是图1的检查装置1的俯视图。图3是表示图1的检查装置1的晶圆输送机构的结构例的图。
检查装置1具有加载部10、检查部20以及装置控制器30。检查装置1在装置控制器30的控制下,从加载部10向检查部20输送作为被检查体的半导体晶圆(以下称为“晶圆W”),并对形成于晶圆W的电子器件施加电信号而检查各种电特性。在这样的检查中,形成于晶圆W的电子器件是被检查器件(DUT:Device Under Test)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造