[发明专利]串行存储器数据读取频率设置方法在审
申请号: | 202011308191.X | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112420112A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 汪齐方;陈涛 | 申请(专利权)人: | 普冉半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/02 | 分类号: | G11C29/02;G11C29/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201210 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串行 存储器 数据 读取 频率 设置 方法 | ||
1.一种串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,其存储器中设置有测试存储区及主存储区;
所述测试存储区为可读可写,用于预存模式数据;
所述主存储区为可读可写;
存储器操作系统设置有测试存储区写指令及主存储区写指令,测试存储区写指令、主存储区写指令为两种不同的指令;
存储器操作系统向存储器发出测试存储区写指令及模式数据时,将模式数据更新写入到测试存储区;
存储器操作系统向主存储区发出主存储区读指令及存储地址时,在等待时钟期间内,在时钟下降沿或上升沿从测试存储区读出模式数据,在等待时钟期间后,在时钟下降沿或上升沿从主存储区的相应存储地址的存储单元读出主存数据;
包括以下步骤:
一.存储器操作系统向存储器发出测试存储区写指令及模式数据,将模式数据更新写入到测试存储区;
二.存储器操作系统向主存储区发出主存储区读指令及存储地址,以设定频率在等待时钟期间内从测试存储区读取模式数据,在等待时钟期间后,在时钟下降沿或上升沿从主存储区的相应存储地址的存储单元读出主存数据;
三.将在等待时钟期间内读出的模式数据,和预写入测试存储区的模式数据进行比对,如果一致则判断为能正确读取存储器;
四.改变设定频率,重复进行步骤二及步骤三,得到一种工作条件下该种模式数据能正确读取存储器的1及0的最快读取频率;
五.改变模式数据,重复进行步骤一到四,得到一种工作条件下的多种模式数据能正确读取存储器的1及0的最快读取频率;
六.以多种模式数据中的能正确读取存储器的1及0的最快读取频率中的最慢频率为根据,进行该种工作条件下的串行存储器数据读取的频率设置。
2.根据权利要求1所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,
当需要进行不同工作条件下的串行存储器数据读取的频率设置时,使存储器工作于相应工作条件下,然后进行步骤一到六。
3.根据权利要求2所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,
根据多种工作条件下的串行存储器数据读取的频率设置,进行综合工作条件下的串行存储器数据读取的频率设置。
4.根据权利要求1所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,
所述工作条件包括工作电压、环境温度、负载中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,
存储器操作系统还设置有测试存储区读指令;
存储器操作系统对测试存储区进行读写时,为保护1线读写,通过存储器芯片的一串行输入引脚输入测试存储区读指令或测试存储区写指令,通过存储器芯片的一串行输出引脚输出读取数据。
6.根据权利要求1所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,
存储器操作系统还设置有测试存储区读指令;
存储器操作系统对测试存储区进行读写时,为保护2线读写,通过存储器芯片的一串行输入引脚及一串行输出引脚输入测试存储区读指令或测试存储区写指令,通过存储器芯片的一串行输入引脚及一串行输出引脚输出读取数据。
7.根据权利要求1所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,
存储器操作系统还设置有测试存储区读指令;
存储器操作系统对测试存储区进行读写时,为保护4线读写,通过存储器芯片的一串行输入引脚及一串行输出引脚输入测试存储区读指令或测试存储区写指令,通过存储器芯片的四个串行输出引脚输出读取数据。
8.根据权利要求1所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,
存储器操作系统还设置有测试存储区读指令;
存储器操作系统对测试存储区进行读写时,为保护8线读写,通过存储器芯片的一串行输入引脚及一串行输处引脚输入测试存储区读指令或测试存储区写指令,通过存储器芯片的八个串行输出引脚输出读取数据。
9.根据权利要求1所述的串行存储器数据读取频率设置方法,其特征在于,所述测试存储区,为挥发存储单元区或非挥发存储单元区。
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